[发明专利]空穴传输层用材料、空穴注入层用材料以及有机化合物在审
申请号: | 202010635376.5 | 申请日: | 2020-07-03 |
公开(公告)号: | CN112186112A | 公开(公告)日: | 2021-01-05 |
发明(设计)人: | 渡部刚吉;久保田朋广;植田蓝莉;濑尾哲史;大泽信晴;久保田优子 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;C07C211/61;C09K11/06 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 刘多益;葛臻翼 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 空穴 传输 用材 注入 以及 有机化合物 | ||
1.一种包含单胺化合物的空穴传输层用材料,
其中,所述单胺化合物具有:
第一芳香基;
第二芳香基;以及
第三芳香基,
所述第一芳香基、所述第二芳香基及所述第三芳香基与所述单胺化合物的氮原子键合,
并且,包含所述单胺化合物的层的折射率为1.5以上且1.75以下。
2.一种包含单胺化合物的空穴传输层用材料,
其中,所述单胺化合物具有:
第一芳香基;
第二芳香基;以及
第三芳香基,
所述第一芳香基、所述第二芳香基及所述第三芳香基与所述单胺化合物的氮原子键合,
并且,在分子内的总碳原子数中只由sp3杂化轨道形成键合的碳原子的比率为23%以上且55%以下。
3.一种包含单胺化合物的空穴传输层用材料,
其中,所述单胺化合物具有:
第一芳香基;
第二芳香基;以及
第三芳香基,
所述第一芳香基、所述第二芳香基及所述第三芳香基与所述单胺化合物的氮原子键合,
并且,在通过1H-NMR测量所述单胺化合物的结果中小于4ppm的信号的积分值超过4ppm以上的信号的积分值。
4.根据权利要求2或3所述的空穴传输层用材料,
其中包含所述单胺化合物的层的折射率为1.5以上且1.75以下。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的空穴传输层用材料,
其中所述单胺化合物至少具有一个芴骨架。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的空穴传输层用材料,
其中所述第一芳香基、所述第二芳香基和所述第三芳香基中的一个或多个为芴骨架。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的空穴传输层用材料,
其中所述单胺化合物的分子量为400以上且1000以下。
8.一种包含单胺化合物的空穴传输层用材料,
其中,所述单胺化合物的氮原子与第一芳香基、第二芳香基及第三芳香基键合,
所述第一芳香基及所述第二芳香基分别独立地具有1至3的苯环,
所述第一芳香基和所述第二芳香基中的一方或双方具有一个或多个的碳原子只由sp3杂化轨道形成键合的碳原子数为1至12的烃基,
包含在所述第一芳香基或所述第二芳香基中的所述烃基中的碳原子的总数为6以上,
包含在所述第一芳香基及所述第二芳香基中的所有的所述烃基中的碳原子的总数为8以上,
并且,所述第三芳香基为取代或未取代的单环或者取代或未取代的3环以下的稠环。
9.根据权利要求8所述的空穴传输层用材料,
其中所述第三芳香基在环中碳原子数为6至13。
10.根据权利要求8所述的空穴传输层用材料,
其中包含所述单胺化合物的层的折射率为1.5以上且1.75以下。
11.根据权利要求8所述的空穴传输层用材料,
其中所述第三芳香基具有芴骨架。
12.根据权利要求8所述的空穴传输层用材料,
其中所述第三芳香基为芴骨架。
13.根据权利要求8所述的空穴传输层用材料,
其中包含在所述第一芳香基及所述第二芳香基中的所有的所述烃基中的只由sp3杂化轨道形成键合的碳原子的总数为36以下。
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