[发明专利]一种基片的预处理装置有效
申请号: | 202010635419.X | 申请日: | 2020-07-04 |
公开(公告)号: | CN111775437B | 公开(公告)日: | 2022-09-27 |
发明(设计)人: | 刘永 | 申请(专利权)人: | 江海琦 |
主分类号: | B29C63/02 | 分类号: | B29C63/02;B32B38/00;B32B37/08 |
代理公司: | 蓝天知识产权代理(浙江)有限公司 33229 | 代理人: | 郭亚银 |
地址: | 317500 浙江省台*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 预处理 装置 | ||
本发明公开了一种基片的预处理装置,预处理箱的左侧壁上成型有预处理进料口、右侧壁上成型有预处理出料口;工艺箱的左侧壁上成型有工艺处理进出口;预处理箱的左端面上升降设置有左封闭板;工艺箱和预处理箱之间升降设置有右封闭板;预处理箱内设置有左右传递装置;左右传递装置包括上部的矩形框状的基片限位框和下部的矩形框状的左右移动框;左右移动框左右移动设置在预处理箱内;基片限位框左右移动设置在左右移动框的上端面上;左右移动框的左右侧壁之间成型有若干前后均匀分布的下支撑板。
技术领域
本发明涉及基片预处理的技术领域,具体涉及一种基片的预处理装置。
背景技术
在太阳能电池、液晶显示屏等产品的生产过程中,进行工艺覆膜,或者承载若干硅片进行工艺覆膜的工件,称为基片。基片一般为厚度尺寸相对于幅面尺寸较小的薄板状物体,完成一道完整的工艺制程,基片通常需要经过多道工序,流经设备中的多个不同的工位。
一般来说,在电池生产过程的不同阶段,对基片有不同的温度要求。例如在常见PECVD覆膜工艺中,工艺制程及工艺腔室的温度常保持在200℃以上,而基片在外界大气中一般只有20℃左右的室温。此时,如果能对基片进行合理的预热处理,先将其温度升高至一定的数值,不但可以减少基片在送入该工艺腔室后因承受较大温差而带来的热应力和热变形,还能有效提高基片的温度均一性,从而可以防止基片碎裂或损坏并提高工艺效果。
又比如,基片在完成某一道工艺制程后,需要将其从设备中取出,此时,基片将会有接近200℃左右的高温,若直接将其从设备中取出,不但具有很高的高温危险性,不利于操作,容易造成事故,而且在高温时将基片直接暴露在大气环境下,较大温差产生的热应力和热变形也容易造成工艺薄膜的裂纹、基片的碎裂或损坏等。另外,高温基片还容易跟大气中的氧气、水份等发生化学反应直接影响工艺结果。因此,工艺制程后先对基片进行合理的降温处理再将其从设备中取出就显得很有必要。
针对上述情况,在现有技术中多采用在真空设备中增加一个预热腔或者冷却腔的方式来实现温度调整功能,或者也可以将温度控制与加载腔结合在一起。然而,无论采用前述哪种方式,无疑都需要在加载腔和工艺腔之间增加一个独立的传输腔,造成了设备的占地空间的增加。
发明内容
本发明的目的是现在的基片预处理结构占据空间大的技术问题,提供了一种基片的预处理装置。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下:一种基片的预处理装置,包括预处理箱和工艺箱;预处理箱位于工艺箱的左侧;预处理箱的内顶壁上设置温度控制单元;温度控制单元用于基片加热或者冷却;预处理箱的左侧壁上成型有预处理进料口、右侧壁上成型有预处理出料口;工艺箱的左侧壁上成型有工艺处理进出口;预处理箱的左端面上升降设置有左封闭板;左封闭板用于密封预处理进料口;工艺箱和预处理箱之间升降设置有右封闭板;右封闭板用于密封预处理出料口和工艺处理进出口;预处理箱内设置有左右传递装置;左右传递装置包括上部的矩形框状的基片限位框和下部的矩形框状的左右移动框;左右移动框左右移动设置在预处理箱内;基片限位框左右移动设置在左右移动框的上端面上;左右移动框的左右侧壁之间成型有若干前后均匀分布的下支撑板;工艺箱内设置有上下料装置;上下料装置用于左右传递装置的基片上下料。
作为上述技术方案的优选,预处理箱的左右侧壁下端之间固定有一对前后对称设置的下左右驱动齿条;预处理箱的前后侧壁上分别成型有下左右导条;左右移动框的前后端面分别成型有与下左右导条配合的下左右导槽;左右移动框的左端面上固定有下左右驱动电机;左右移动框的左右侧壁之间枢接有下左右驱动杆;下左右驱动杆的左端与下左右驱动电机的输出轴固定连接;下左右驱动杆的左部和右部分别固定有驱动蜗杆;左右移动框的前后侧壁的左端之间和右端之间分别枢接有从动中心柱;从动中心柱的中心固定有蜗轮;蜗轮与相应侧的驱动蜗杆啮合;从动中心柱的前后两端分别固定有从动齿轮;从动齿轮与相应侧的下左右驱动齿条啮合。
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