[发明专利]具有气隙的半导体元件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体元件，包括：

一第一位元线，设置在一半导体基底上；

一介电结构，设置在该第一位元线的一侧壁上；以及

一第二位元线，设置在该半导体基底上，其中该第一位元线位于该第二位元线与该介电结构之间，且该第一位元线与该第二位元线以一气隙分隔开。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该介电结构直接接触该第一位元线的该侧壁。

3.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一位元线的一顶表面是高于该气隙的顶表面。

4.如权利要求1所述的半导体元件，其中该介电结构的一顶表面是高于该气隙的一顶表面。

5.如权利要求1所述的半导体元件，还包括一密封介电层，该密封介电层设置在该第一位元线、该第二位元线、该介电结构以及该气隙上，其中该密封介电层具有一突起部，夹设在该第一位元线与该第二位元线之间。

6.如权利要求5所述的半导体元件，其中该密封介电层的该突起部具有一尖端，该尖端朝向该半导体基底。

7.如权利要求1所述的半导体元件，还包括一第三位元线，该第三位元线位于该半导体基底上，其中该介电结构夹设在该第二位元线与该第三位元线之间。

8.一种半导体元件，包括：

一第一位元线以及一第二位元线，均设置在一半导体基底上，其中该第一位元线的一第一侧壁与该第二位元线的一第二侧壁是以一气隙分隔开；

一第一介电结构，设置在该第一位元线的一第三侧壁上，其中该第三侧壁相对该第一位元线的该第一侧壁设置；以及

一第二介电结构，设置在该第二位元线的一第四侧壁上，其中该第四侧壁相对该第二位元线的该第二侧壁设置。

9.如权利要求8所述的半导体元件，还包括：

一密封介电层，覆盖该第一位元线、该第二位元线以及该气隙；以及

一电容，设置在该密封介电层上。

10.如权利要求9所述的半导体元件，其中该第一位元线的一顶部具有一圆边角，而该气隙的一部分在该密封介电层与该第一位元线的该圆边角之间延伸。

11.如权利要求8所述的半导体元件，其中在该第一位元线与该第一介电结构之间的一界面具有一第一高度，在该第一位元线与气隙之间的一界面具有一第二高度，而该第一高度大于该第二高度。

12.如权利要求8所述的半导体元件，还包括：

一主动区，由位于该半导体基底中的一绝缘结构所界定；以及

一位元线接触点，设置在该主动区中，其中该第一位元线以该位元线接触点电性连接该主动区，而该位元线接触点包括一导电层以及一硅化金属层，该硅化金属层位于该导电层上。

13.一种半导体元件的制备方法，包括：

在一半导体基底上形成一第一介电结构以及一第二介电结构；

在该第一介电结构与该第二介电结构上形成一导电材料，其中该导电材料延伸进入一第一开口，而该第一开口位于该第一介电结构与该第二介电结构之间；

部分地移除该导电材料，以在该第一开口中形成一第一位元线以及一第二位元线；以及

在该第一位元线与该第二位元线上形成一密封介电层，使得一气隙形成在该密封介电层与该半导体基底之间。

14.如权利要求13所述的半导体元件的制备方法，其中在该导电材料部分移除之后，是暴露位于该第一位元线与该第二位元线之间的该半导体基底的一顶表面。

15.如权利要求13所述的半导体元件的制备方法，其中该第一位元线直接接触该第一介电结构，且该第二位元线直接接触该第二介电结构。