[发明专利]一种图形化复合衬底、LED外延片及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202010636320.1 申请日: 2020-07-03
公开(公告)号: CN113889557A 公开(公告)日: 2022-01-04
发明(设计)人: 张剑桥;吴伟;康凯;肖桂明;杨锤 申请(专利权)人: 东莞市中图半导体科技有限公司
主分类号: H01L33/22 分类号: H01L33/22;H01L33/00
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 孟金喆
地址: 523000 广东省东莞市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 图形 复合 衬底 led 外延 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种图形化复合衬底,其特征在于,包括衬底基板、位于所述衬底基板上的多个复合微结构,所述复合微结构包括上下层叠的异质层和衬底层,所述衬底层与所述衬底基板为一体结构;

所述衬底层与所述异质层相交界的表面设置有至少一个凹洞和/或至少一个凸起,所述异质层与所述衬底层构成复合微结构凸起。

2.根据权利要求1所述的图形化复合衬底,其特征在于,每一个所述复合微结构中,所述衬底层与所述异质层相交界的表面设置有多个凹洞,所述多个凹洞以正多边形的顶点周期性排布,或者,所述多个凹洞以正多边形的顶点和中心点周期性排布。

3.根据权利要求2所述的图形化复合衬底,其特征在于,所述凹洞的排布周期为0.5-3.0μm,开口的宽度为0.1-2.0μm,深度为0.1-1.5μm。

4.根据权利要求2所述的图形化复合衬底,其特征在于,所述凹洞的深度与所述衬底层的厚度的比例范围为50%-300%。

5.根据权利要求1所述的图形化复合衬底,其特征在于,所述衬底层的厚度与所述复合微结构的高度的比例范围为10%-80%。

6.根据权利要求2所述的图形化复合衬底,其特征在于,所述凹洞为倒立的多边形椎体、圆锥体、椭圆锥体、圆柱、圆台或球冠。

7.根据权利要求1所述的图形化复合衬底,其特征在于,每一个所述复合微结构中,所述衬底层与所述异质层相交界的表面设置有至少一个凸起,所述凸起为多边形椎体、圆锥体、椭圆锥体、圆柱、圆台或球冠。

8.根据权利要求7所述的图形化复合衬底,其特征在于,所述衬底层的厚度占所述凸起的高度和所述衬底层的厚度之和的比例范围为5%-20%。

9.根据权利要求7所述的图形化复合衬底,其特征在于,所述凸起的底面的宽度为0.2-3μm,高度为0.12-2.5μm。

10.根据权利要求1所述的图形化复合衬底,其特征在于,所述复合微结构为多边形椎体、圆锥体、椭圆椎体、圆柱、圆台或球冠,或者,所述复合微结构为类多边形椎体,类圆锥体、类椭圆椎体,所述复合微结构的侧壁具有弧度。

11.根据权利要求1所述的图形化复合衬底,其特征在于,所述复合微结构的底面的宽度为0.3-5.0μm,高度为0.2-3.5μm。

12.根据权利要求1所述的图形化复合衬底,其特征在于,所述异质层的材料为氧化物、氮化物、碳化物和单质的至少一种。

13.一种LED外延片,其特征在于,包括如权利要求1-12任一项所述的图形化复合衬底,还包括形成于所述图形化复合衬底上的外延层。

14.一种图形化复合衬底的制备方法,用于制备如权利要求1-12任一项所述的图形化复合衬底,其特征在于,包括:

提供一衬底基板,并在所述衬底基板上进行图形化,形成至少一个凹洞和/或至少一个凸起;

在所述衬底基板上形成异质层;

对所述异质层以及所述衬底基板进行图形化,形成多个复合微结构;其中,所述复合微结构包括上下层叠的异质层和衬底层,所述衬底层与所述衬底基板为一体结构;所述至少一个凹洞和/或至少一个凸起位于所述衬底层与所述异质层相交界的表面,所述异质层与所述衬底层构成复合微结构凸起。

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