[发明专利]一种增强光刻图形分辨率的方法

权利要求书

1.一种半导体制程中增强光刻图形分辨率的方法，其特征在于，包括：

在衬底上依次形成第一胶层和第二胶层；

通过光刻曝光工艺在所述第二胶层上形成曝光区和非曝光区；

采用第一溶剂去除所述曝光区和所述第一胶层的部分区域，或者先采用第二溶剂去除所述曝光区，再采用第三溶剂去除所述第一胶层的部分区域，从而在所述第一胶层形成第一图案，在所述第二胶层形成第二图案，所述第一图案是在所述第二图案基础上缩进后的图案；

采用第四溶剂去除所述非曝光区；其中

所述第一胶层采用可显影胶，所述可显影胶适于在碱性显影液中溶解，并且耐有机显影液和光刻胶溶剂溶解；所述第二胶层采用光刻胶；所述第一溶剂和所述第三溶剂采用碱性显影液；所述第二溶剂采用适于去除所述曝光区的有机显影液；所述第四溶剂采用适于去除所述非曝光区的光刻胶溶剂。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述可显影胶采用具有聚甲基戊二酰亚胺结构、马来酰亚胺-丙烯酸共聚物、丙烯酰胺-丙烯酸共聚物或聚酰亚胺结构的材料。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述可显影胶采用金属剥离工艺中所使用的金属剥离胶，或采用可显影的底部抗反射涂层材料。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二胶层采用G线、I线、KrF、ArF、ArF浸没式、EUV或电子束光刻胶。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二胶层采用酚醛树脂-重氮萘醌类光刻胶、化学放大类光刻胶、主链断裂型光刻胶或含金属氧化物类光刻胶。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二胶层采用适于碱性显影液或有机显影液进行显影的正性光刻胶。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第四溶剂采用丙二醇甲醚醋酸酯、丙二醇甲醚、乳酸乙酯、丙酮、环戊酮、环己酮中的一种或几种；

或采用苯甲醚或二氯苯。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述可显影胶可通过烘烤温度和时间改变其在碱性显影液中的溶解速率。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述衬底上涂覆所述可显影胶并进行烘烤后形成所述第一胶层。