[发明专利]半导体装置及其检查方法

说明书

半导体装置及其检查方法。在半导体装置中，形成于半导体衬底的表面上的PCMTEG区域(100)被分为主PCMTEG区域(101)和子PCMTEG区域(102)，并且在子PCMTEG区域(102)集中配置有对电特性值有标准的所有TEG。

技术领域

本发明涉及一种具有PCMTEG的半导体装置及其检查方法。

背景技术

在搭载于半导体衬底上的半导体集成电路装置中，除了作为产品的IC芯片之外，还配置有用于确认半导体晶片制造工序的完成情况的工艺控制监视器测试元件组(Process Control Monitors Test Element Group)(以下称为PCMTEG)。PCMTEG有时配置在用于切出多个IC芯片的划片槽(scribe line)区域中(划片槽TEG)，也有时在特定的区域中不形成IC芯片而配置(外置TEG)。

换言之，在搭载于半导体衬底上的半导体集成电路装置中，有时除了作为产品的IC芯片之外，还配置有作为评价用IC芯片的测试元件组(TEG：Test Element Group)。在该TEG中，将由半导体元件或多个半导体元件构成并且用于确认半导体晶片制造工序的完成情况的TEG有时称为PCMTEG。

在半导体晶片制造工序接近结束时，使用PCMTEG进行电测定，由此能够确认半导体晶片制造工序是否正常进行，产品的特性是否符合目标。PCMTEG的电测定通常通过如下方式进行：使用具有多个探针(probe)的探针卡，对配置在PCMTEG区域的多个种类的TEG上设置的焊盘区域进行针接触。

为了提高生产率和制造效率，需要尽可能在短时间内进行PCMTEG的测定。为了对所希望的多个PCMTEG进行针接触，需要移动探针卡，由于该移动距离，PCMTEG测定的时间、负荷增大，因此要求尽可能在短时间内进行PCMTEG的测定。

另外，如果存在对PCMTEG的针接触的不良情况，则不能正确地得到测定值，需要再次进行测定而负荷增大，或者在没有注意到针接触状态差的情况下，很有可能会看漏IC的品质异常。

在专利文献1中，提及了配置在划片槽上的PCMTEG和划片槽的宽度，并公开了增大在半导体晶片面内的IC芯片取得数量的方法。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012-174789号公报

发明内容

发明要解决的问题

根据专利文献1中记载的半导体装置，通过减小未配置PCMTEG的一侧的划片槽的宽度，能够增加可从半导体晶片整体制造的IC的取得数量，有助于生产率的提高。但是，关于PCMTEG测定时间的缩短并未提及到，为了提高IC制造工序的生产率，降低作业负荷，必须缩短PCMTEG测定时间。

因此，本发明的目的是提供一种能够缩短PCMTEG的测定时间的半导体装置。

用于解决问题的手段

为了实现上述目的，本发明的半导体装置采用以下手段。

设为一种半导体装置，其特征在于，其具有：

半导体衬底；

PCMTEG区域，其在所述半导体衬底的表面上形成有PCMTEG，所述PCMTEG具备按照种类而分类的多个TEG；

主PCMTEG区域和子PCMTEG区域，它们设置在所述PCMTEG区域；以及

按照所述TEG的种类划分出的多个TEG类别区域，它们包含在所述主PCMTEG区域中，

从所述TEG的各个种类中选择出的对电特性值有标准的所有TEG配置在所述子PCMTEG区域。