[发明专利]一种防粗铝丝脱键的方法

说明书

本发明涉及电子元器件封装外壳领域，特别涉及一种防粗铝丝脱键的方法。包括如下步骤：镀镍前清除金属外壳表面的油污和氧化层→对金属外壳进行三层镀镍→将金属外壳置于450℃退火处理→镀薄层金→360℃退火处理；清除金属外壳表面的油污和氧化层的步骤包括：煮沸或超声去油→清洗→过盐酸→清洗→喷砂→过去离子水→过盐酸→过去离子水→过还原液；三层镀镍的工艺过程包括：电镀冲击镍→过去离子水→电镀整平镍→过去离子水→化学镀镍→过去离子水→烘干或吹干。本发明设计的一种防粗铝丝脱键的方法，化学镀镍后，将外壳置于450℃中退火，避免了化学镀镍层被拉起，提高了化学镀镍层与电镀镍层的结合能力。

技术领域

本发明涉及电子元器件封装外壳领域，特别涉及一种防粗铝丝脱键的方法。

背景技术

电子元器件封装外壳是电子领域常用的零部件，主要有以下几类：有机封装、低温玻璃封装、陶瓷金属封装等，一般只能应用于低可靠性的民用市场领域，不能用于高可靠领域，尤其是军事装备领域。在军用领域，芯片和金属外壳引线用粗铝丝进行连接。目前，粗铝丝金属外壳常存在脱键问题，主要表现在三个方面：一是粗铝丝直接将键合区金层从镀镍层上带起，造成镀金层脱落；二是经温度环境后键合点完全脱落，拉力值很小或甚至接近于0，脱开界面在镀镍或镀金表面，铝丝几乎没有焊点残留；三是经温度环境后键合点脱落，但有一定的拉力值，一般低于65gf，有一定的焊点残留。

发明内容

为解决背景技术中提到的脱键问题，本发明展示了一种防粗铝丝脱键的方法。

为实现上述目的，现提供技术方案如下：

一种防粗铝丝脱键的方法，包括如下步骤,

S1、镀镍前清除金属外壳表面的油污和氧化层；

S2、对金属外壳进行三层镀镍；

S3、将金属外壳置于450℃退火处理,可避免化学镀镍层被拉起，提高化学镀镍层与电镀镍层的结合能力；

S4、镀薄层金,使得键合后形成的IMC数量更少，造成的键合区断裂更小；

S5、360℃退火处理，

进一步的，所述S1包括，

S1.1、煮沸或超声去油；

S1.2、清洗；

S1.3、过盐酸；；

S1.4、清洗；

S1.5、物理方式去除氧化层，例如喷沙和等离子清洗的方式。

S1.6、过去离子水；

S1.7、过盐酸；

S1.8、过去离子水；

S1.9、过还原液。

进一步的，述S2包括，

S2.1、电镀冲击镍；

S2.2、过去离子水；

S2.3、电镀整平镍；

S2.4、过去离子水；

S2.5、化学镀镍；

S2.6、过去离子水；

S2.7、烘干或吹干。

为进一步消除金铝化合物对键合的影响，提供如下方案：

一、在键合区钎焊铜铝复合片,适用于外壳芯片焊接区无接地线且在隧道炉或石英管炉中焊接芯片的情况。

二、键合区局部镀镍,适用于外壳芯片焊接区无接地线且在隧道炉或石英管炉中焊接芯片的情况。