[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法

说明书

半导体装置和制造半导体装置的方法。在一个实例中，一种半导体装置包括：衬底和在所述衬底的顶侧上的电子装置；在所述衬底的所述顶侧上的引线框架，其在所述电子装置上方，其中所述引线框架包括连接杆和引线；在所述引线框架的顶侧上的组件，其安装到所述连接杆和所述引线；以及在所述衬底的所述顶侧上的囊封物，其中所述囊封物接触所述电子装置的一侧和所述组件的一侧。本文中还公开其它实例和相关方法。

技术领域

本公开大体上涉及电子装置，且更明确地说，涉及半导体装置和制造半导体装置的方法。

背景技术

先前的半导体封装和形成半导体封装的方法是不适当的，例如，导致成本过量、可靠性降低、性能相对低或封装大小过大。通过比较此类方法与本公开并参考图式，所属领域的技术人员将显而易见常规和传统方法的其它限制和缺点。

发明内容

本揭露的各种态样提供一种半导体装置，其包括衬底和在所述衬底的顶侧上的电子装置；在所述衬底的所述顶侧上的引线框架，其在所述电子装置上方，其中所述引线框架包括连接杆和引线；在所述引线框架的顶侧上的组件，其安装到所述连接杆和所述引线；以及在所述衬底的所述顶侧上的囊封物，其中所述囊封物接触所述电子装置的一侧和所述组件的一侧。在所述半导体装置中，所述引线框架包括焊盘和从所述焊盘到所述连接杆的向下设置部，其中所述组件在低于所述焊盘的顶侧的层级处安装到所述连接杆和所述引线。所述半导体装置进一步包括在所述焊盘下方的所述衬底的所述顶侧上的额外组件。在所述半导体装置中，所述额外组件与所述焊盘热耦合。在所述半导体装置中，所述电子装置在所述组件下方。在所述半导体装置中，所述囊封物的顶侧与所述引线框架的顶侧共面。在所述半导体装置中，所述连接杆与所述引线之间具有间隙，且所述组件安装为横跨所述间隙。在所述半导体装置中，所述衬底包括预制衬底。在所述半导体装置中，所述衬底包括重布层(RDL)衬底。在所述半导体装置中，所述引线包括与所述衬底的导电路径电耦合的连接区。

本揭露的各种态样提供一种制造半导体装置的方法，其包括：提供具有顶侧的衬底；在所述衬底的所述顶侧上提供电子装置；将组件安装在引线框架的顶侧上，其中所述组件安装于所述引线框架的连接杆与引线之间；将所述引线框架连接到所述衬底的所述顶侧；以及在所述衬底的所述顶侧上提供囊封物，其接触所述电子装置的一侧和所述组件的一侧。在所述方法中，所述安装包括在所述连接杆和所述引线上提供互连件以及在所述互连件处将所述组件电连接到所述引线框架。所述方法进一步包括提供额外组件到所述衬底的所述顶侧上。在所述方法中，所述额外组件在所述引线框架的焊盘下方。所述方法进一步包括将所述额外组件热耦合到所述引线框架。

本揭露的各种态样提供一种半导体结构，其包括：衬底，其具有顶侧和导电路径；引线框架，其包括散热件、连接杆、在所述散热件与所述连接杆之间的向下设置部以及与所述导电路径电耦合的引线，其中所述连接杆低于所述散热件；第一组件，其在所述衬底的所述顶侧上且耦合到所述散热件；第二组件，其在介于所述连接杆与所述引线之间的所述引线框架的顶侧上；以及囊封物，其在所述衬底的所述顶侧上、接触所述第二组件的一侧。所述半导体结构进一步包括在所述第一组件的顶侧与所述散热件的底侧之间的界面组件。在所述半导体结构中，所述界面组件包括热界面材料。在所述半导体结构中，所述引线包括安装区、连接区以及在所述安装区与所述连接区之间的额外向下设置部，其中所述引线在所述连接区处电耦合到所述导电路径，且所述半导体结构进一步包括在所述衬底的所述顶侧上、在所述安装区下方、在所述第二装置下方的电子装置。在所述半导体结构中，所述电子装置热耦合到所述引线框架。

附图说明

图1展示实例半导体装置的横截面图。

图2展示实例组件安装在其上的引线框架的平面图。

图3A到3G展示制造实例半导体装置的实例方法的横截面图。

图4A到4C展示用于将组件安装在实例引线框架上的实例方法的平面图和横截面图。