[发明专利]热处理装置及热处理装置的洗净方法在审
申请号: | 202010639262.8 | 申请日: | 2020-07-06 |
公开(公告)号: | CN112397415A | 公开(公告)日: | 2021-02-23 |
发明(设计)人: | 布施和彦 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 陈甜甜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 热处理 装置 洗净 方法 | ||
1.一种热处理装置,其特征在于:通过对衬底照射光而对该衬底进行加热,且具备:
腔室,收容衬底;
晶座,在所述腔室内保持所述衬底;
连续点亮灯,对所述腔室内照射光而对保持在所述晶座的所述衬底进行加热;
紫外线灯,对所述腔室内照射包含紫外线光的光;及
气体供给部,向所述腔室内供给包含臭氧的气体;且
一边使所述衬底的处理结束后的所述腔室内成为包含臭氧的氛围,一边从所述紫外线灯照射包含紫外线光的光。
2.根据权利要求1所述的热处理装置,其特征在于:
所述气体供给部向所述腔室内供给臭氧与氧气的混合气体,
一边使所述腔室内成为包含臭氧与氧气的氛围,一边从所述紫外线灯照射包含紫外线光的光。
3.根据权利要求1所述的热处理装置,其特征在于:
在利用所述连续点亮灯将所述包含臭氧的氛围加热的状态下,从所述紫外线灯照射包含紫外线光的光。
4.根据权利要求1所述的热处理装置,其特征在于:
在将虚设衬底保持于所述晶座的状态下,从所述紫外线灯照射包含紫外线光的光。
5.根据权利要求4所述的热处理装置,其特征在于:
进行所述衬底的处理时所使用的热处理配方与使用了所述虚设衬底的紫外线光照射处理中使用的处理配方相同。
6.根据权利要求1所述的热处理装置,其特征在于:
在所述腔室内不存在衬底的状态下,从所述紫外线灯照射包含紫外线光的光。
7.根据权利要求1所述的热处理装置,其特征在于:
还具备排出所述腔室内的氛围气体的排气部,
从所述紫外线灯照射包含紫外线光的光之后,所述排气部从所述腔室内排出氛围气体。
8.根据权利要求7所述的热处理装置,其特征在于:
所述气体供给部从比所述晶座更靠上方的供气位置向所述腔室内供给包含臭氧的气体,
所述排气部从所述晶座与所述供气位置之间的高度位置排出氛围气体。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的热处理装置,其特征在于:
所述紫外线灯为照射闪光的闪光灯。
10.一种热处理装置的洗净方法,其特征在于:所述热处理装置通过对衬底照射光而对该衬底进行加热,且所述热处理装置的洗净方法具备:
处理步骤,对在腔室内保持于晶座的衬底照射光,从而对所述衬底进行加热;
气体供给步骤,向所述衬底的处理结束后的所述腔室内供给包含臭氧的气体;及
紫外线光照射步骤,一边使所述腔室内成为包含臭氧的氛围,一边从紫外线灯对所述腔室内照射包含紫外线光的光。
11.根据权利要求10所述的热处理装置的洗净方法,其特征在于:
在所述气体供给步骤中,向所述腔室内供给臭氧与氧气的混合气体,
在所述紫外线光照射步骤中,一边使所述腔室内成为包含臭氧与氧气的氛围,一边从所述紫外线灯照射包含紫外线光的光。
12.根据权利要求10所述的热处理装置的洗净方法,其特征在于:
在从连续点亮灯对所述腔室内进行光照射而将所述包含臭氧的氛围加热的状态下,从所述紫外线灯照射包含紫外线光的光。
13.根据权利要求10所述的热处理装置的洗净方法,其特征在于:
在所述紫外线光照射步骤中,于在所述腔室内将虚设衬底保持于所述晶座的状态下,从所述紫外线灯照射包含紫外线光的光。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社斯库林集团,未经株式会社斯库林集团许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010639262.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造