[发明专利]一种高频激励下绝缘材料的沿面闪络放电测量装置在审

专利信息
申请号: 202010639359.9 申请日: 2020-07-06
公开(公告)号: CN111751684A 公开(公告)日: 2020-10-09
发明(设计)人: 李琳;张岩;乔光尧;靳艳娇;邓占锋;赵国亮;李卫国;刘海军;李芳义;杨春;石秋雨;苏铁山 申请(专利权)人: 华北电力大学;全球能源互联网研究院有限公司
主分类号: G01R31/12 分类号: G01R31/12;G01R1/04
代理公司: 北京高沃律师事务所 11569 代理人: 崔玥
地址: 102206 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 高频 激励 绝缘材料 沿面闪络 放电 测量 装置
【权利要求书】:

1.一种高频激励下绝缘材料的沿面闪络放电测量装置,其特征在于,所述测量装置包括:

高频高压电源、密闭腔体、高压导电杆、低压导电杆、高压指型电极、低压指型电极和电流测试线圈;

所述高压指型电极和所述低压指型电极相对设置在所述密闭腔体内,所述高压指型电极和所述低压指型电极上均设置有凹槽,待测的绝缘试件的一端设置在所述高压指型电极的凹槽中,所述绝缘试件的另一端设置在所述低压指型电极的凹槽中;所述密闭腔体内可填充不同气压的绝缘气体;

所述高压导电杆贯穿并固定在所述密闭腔体的第一侧壁上,所述低压导电杆贯穿并固定在所述密闭腔体的与所述第一侧壁相对的第二侧壁上;

所述高频高压电源的高压端与所述高压导电杆的位于密闭腔体外部的一端连接,所述高压导电杆的位于密闭腔体内部的一端通过导线与所述高压指型电极连接;

所述高频高压电源的低压端与所述低压导电杆的位于密闭腔体外部的一端连接,所述低压导电杆的位于密闭腔体内部的一端通过导线与所述低压指型电极连接;

所述电流测试线圈套设在所述高频高压电源的低压端与所述低压导电杆的位于密闭腔体外部的一端之间的导线上,所述电流测试线圈用于测试绝缘试件在高频电压电源作用下产生的局部放电信号和沿面闪络信号。

2.根据权利要求1所述的高频激励下绝缘材料的沿面闪络放电测量装置,其特征在于,所述密闭腔体内设置有聚四氟乙烯平台;

所述聚四氟乙烯平台上设置有高压电极固定座和低压电极固定座;

所述高压电极固定座上设置有第一滑轨;所述低压电极固定座上设置有第二滑轨;

所述高压指型电极可滑动的设置在所述第一滑轨上,所述低压指型电极可滑动的设置在所述第二滑轨上。

3.根据权利要求2所述的高频激励下绝缘材料的沿面闪络放电测量装置,其特征在于,所述密闭腔体的与所述第一侧壁或所述第二侧壁相邻的第三侧壁上还设置有圆形窗口,所述圆形窗口的中心点与所述高压电极固定座和所述低压电极固定座之间连线的中点在一条直线上。

4.根据权利要求1所述的高频激励下绝缘材料的沿面闪络放电测量装置,其特征在于,所述密闭腔体上还设置有气压表和充气阀门,进行绝缘试件测量时,通过所述充气阀门和所述气压表向所述密闭腔体内冲入预设压强的气体。

5.根据权利要求1所述的高频激励下绝缘材料的沿面闪络放电测量装置,其特征在于,所述高压指型电极的凹槽的下壁上和所述低压指型电极的凹槽的下壁上均设置有螺杆。

6.根据权利要求1或5所述的高频激励下绝缘材料的沿面闪络放电测量装置,其特征在于,所述测量装置还包括环氧树脂板,所述环氧树脂板的两端分别设置在所述高压指型电极的凹槽和所述低压指型电极的凹槽中,所述环氧树脂板位于所述绝缘试件的下部,用于托起所述绝缘试件,使所述绝缘试件与高压指型电极和低压指型电极的电极表面处于同一平面。

7.根据权利要求1所述的高频激励下绝缘材料的沿面闪络放电测量装置,其特征在于,所述高频高压电源的高压端与所述高压导电杆的位于密闭腔体外部的一端之间还设置有保护电阻。

8.根据权利要求1或7所述的高频激励下绝缘材料的沿面闪络放电测量装置,其特征在于,所述测量装置还包括高压测试探头,所述高压测试探头的测试端与所述高压导电杆的位于密闭腔体外部的一端连接。

9.根据权利要求8所述的高频激励下绝缘材料的沿面闪络放电测量装置,其特征在于,所述测量装置还包括多通道示波器;

所述多通道示波器的的第一通道与所述电流测试线圈连接,所述多通道示波器的第二通道与所述高压测试探头的输出端连接,所述多通道示波器的第三通道与所述高频高压电源的低压端连接。

10.根据权利要求1所述的高频激励下绝缘材料的沿面闪络放电测量装置,其特征在于,所述高频高压电源为方波高频高压电源。

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