[发明专利]一种半导体器件及制作方法

说明书

本发明公开了一种半导体器件及制作方法，其中，结构主要包括引线框架、引线框架外侧包裹的塑料壳体、引线框架外壁连接的引脚、引线框架内腔中安装有二者相互电性连接的芯片和二极管FRD；所述引线框架底部密封热压合有导热绝缘铜基树脂热片，导热绝缘铜基树脂热片为铜层和导热绝缘层叠加连接；通过导热绝缘铜基树脂热片同时提供密封和导热，从而将引线框架内腔产生的热量直接散热出。本设计的半导体器件在制作过程中，工艺也方便，采用热压方式，提供高导热的散热路径从芯片到应用端的散热器，而不需要额外的绝缘垫片来实现高功率密度与电气绝缘。

技术领域

本发明属于电器相关技术领域，尤其涉及一种半导体器件及制作方法。

背景技术

现有TO-3P(是指目前封装行业一种分立器件标准封装形式的简称)功率半导体器件封装结构采用异形引线框架结构，如图8中，直接在引线框架PAD位上进行固晶，PAD位与产品底部采用同一引线框架载体，无绝缘层进行隔离。缺陷是产品自身没有绝缘隔离，应用时需要在散热器10与产品之间增加导热绝缘垫片9，此种产品结构方案在应用端需要重新增加一块绝缘垫片9，以在产品底部与散热器之间实现导热绝缘，不仅生产效率低、成本高，而且整体导热性与可靠性低。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体器件及制作方法，以解决背景技术的问题。

为实现上述目的，本发明的一种半导体器件及制作方法的具体技术方案如下：

一种半导体器件，包括引线框架、引线框架外侧包裹的塑料壳体、引线框架外壁连接的引脚；

所述引线框架底部密封热压合有具有导热性的绝缘密封装置，所述绝缘密封装置将密封后的引线框架内腔产生的热量热传递导出。

进一步的，所述引线框架底部密封热压合有导热绝缘铜基树脂热片，导热绝缘铜基树脂热片为铜层和导热绝缘层叠加连接；通过导热绝缘铜基树脂热片同时提供密封和导热，从而将密封后的引线框架内腔产生的热量直接散热出。

进一步的，所述导热绝缘铜基树脂热片包括至少一个导热绝缘层和铜片。

进一步的，所述导热绝缘铜基树脂热片包括从上到下依次层叠的第一高导热绝缘层、第二高导热绝缘层和铜片，且铜片贴合引线框架底部连接。

进一步的，所述芯片为IGBT或者MOSFET。

进一步的，所述芯片和引线框架之间点焊有锡丝，所述二极管FRD和引线框架之间点焊有锡丝。

进一步的，所述引线框架上开设有螺钉孔。

进一步的，所述塑料壳体上开设有增加爬电距离的U型槽，且U型槽设置在每两个相邻的引脚之间。

一种半导体器件制作方法，包括引线框架内部结构的安装步骤、检查步骤、密封步骤、电镀引脚步骤、切筋印字步骤、电性能测试步骤，

所述密封步骤中的连接方式是采用热压合方式，引线框架底部密封热压合有具有导热性的绝缘密封装置，绝缘密封装置将密封后的引线框架内腔产生的热量热传递导出。

进一步的，所述密封步骤中的绝缘密封装置为导热绝缘铜基树脂热片；所述密封步骤包括散热片贴附工步、树脂模封工步、后固化工步；其中，散热片贴附工步是指将导热绝缘铜基树脂热片与引线框架进行压合；导热绝缘铜基树脂热片包括第一层为未固化的第一高导热绝缘层作为粘着层，加热后与引线框架进行贴合；第二层为完全固化的第二高导热绝缘层作为高导热绝缘层，第三层的铜片作为载体，多层配合完成密封隔离；

其中，树脂模封工步是指使用环氧树脂采用注塑的方式将产品进行包封；

其中，后固化工步是指对塑封后的产品进行完全固化。