[发明专利]半导体封装器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体封装器件，包括：

第一集成电路(IC)芯片，包括第一衬底和位于所述第一衬底上面的第一互连结构；

第二集成电路芯片，位于所述第一集成电路芯片下面，其中，所述第二集成电路芯片包括第二衬底和位于所述第二衬底上面的第二互连结构；

第一电子组件和第二电子组件，分别位于所述第一互连结构和所述第二互连结构中；以及

屏蔽结构，直接位于所述第一电子组件和所述第二电子组件之间并且与所述第一电子组件和所述第二电子组件间隔开，其中，所述屏蔽结构覆盖所述第二电子组件并且配置为阻挡磁场和/或电场。

2.根据权利要求1所述的半导体封装器件，其中，所述第一电子组件和所述第二电子组件是电感器。

3.根据权利要求1所述的半导体封装器件，其中，所述第一电子组件和所述第二电子组件具有相同的顶部布局，并且其中，所述第一电子组件的侧壁位于所述第二电子组件的侧壁上面并且与所述第二电子组件的侧壁对准。

4.根据权利要求1所述的半导体封装器件，其中，所述屏蔽结构包括导线，其中，当从剖面上看时，所述导线在所述导线的相对侧上具有一对线侧壁，并且其中，所述第一电子组件和所述第二电子组件横向位于所述线侧壁之间并且与所述线侧壁横向地间隔开。

5.根据权利要求1所述的半导体封装器件，其中，所述屏蔽结构包括：

衬底通孔(TSV)，穿过所述第一衬底延伸到所述第一互连结构中的线；

屏蔽线，位于所述第一衬底下方并且覆盖所述第二电子组件；以及

背侧通孔，从所述屏蔽线延伸至所述衬底通孔。

6.根据权利要求5所述的半导体封装器件，其中，所述屏蔽结构还包括：

沟槽隔离结构，延伸穿过所述第一衬底，其中，所述第一电子组件和所述第二电子组件横向地位于所述沟槽隔离结构和所述衬底通孔之间；以及

掺杂的屏蔽件，位于所述第一衬底中并且具有与所述第一衬底的的块状区域相反的掺杂类型，其中，所述掺杂的屏蔽件邻接所述沟槽隔离结构并且覆盖所述第二电子组件。

7.根据权利要求1所述的半导体封装器件，其中，所述屏蔽结构还包括：

沟槽隔离结构，延伸到所述第一衬底中，其中，当以横截面观察时，所述沟槽隔离结构包括一对隔离段，并且其中，所述第一电子组件和所述第二电子组件横向地位于所述隔离段之间；以及

掺杂的屏蔽件，位于所述第一衬底中，其中，所述掺杂的屏蔽件具有与所述第二衬底的块状区域相反的掺杂类型，并且其中，所述掺杂的屏蔽件位于所述隔离段之间并且邻接所述隔离段。

8.根据权利要求7所述的半导体封装器件，其中，所述掺杂的屏蔽件的厚度小于所述第一衬底的厚度。

9.一种用于形成半导体封装器件的方法，所述方法包括：

在第一衬底的前侧表面上形成第一前侧互连结构，其中，所述第一前侧互连结构包括第一电感器；

在与所述前侧表面相对的所述第一衬底的背侧表面上形成背侧互连结构，其中，所述背侧互连结构包括直接位于所述第一电感器上方且宽度大于所述第一电感器的屏蔽线；

在第二衬底上形成第二前侧互连结构，其中，所述第二前侧互连结构包括第二电感器；以及

将所述第二前侧互连结构接合并且电耦合到所述背侧互连结构，其中，在所述接合完成时，所述屏蔽线直接位于所述第一电感器和所述第二电感器之间。

10.一种用于形成半导体封装器件的方法，所述方法包括：

从第一衬底的前侧掺杂所述第一衬底以在所述第一衬底中形成掺杂的屏蔽区域；

在所述第一衬底的所述前侧上形成第一前侧互连结构，其中，所述第一前侧互连结构包括直接位于所述掺杂的屏蔽区域上方的第一电子组件；

形成隔离结构，所述隔离结构延伸至与所述第一衬底的所述前侧相对的所述第一衬底的背侧，并且具有一对隔离段，其中，所述隔离段邻接所述掺杂的屏蔽区域的相对侧并且分别位于所述掺杂的屏蔽区域的相对侧上；

在第二衬底上形成第二前侧互连结构，其中，所述第二前侧互连结构包括第二电子组件；以及

将所述第二前侧互连结构接合到所述第一衬底的所述背侧，使得所述掺杂的屏蔽区域垂直地位于所述第一电子组件和所述第二电子组件之间，并且所述第一电子组件和所述第二电子组件横向地位于所述隔离段之间。