[发明专利]交变磁场探测装置及系统在审
| 申请号： | 202010640034.2 | 申请日： | 2020-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN111751767A | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 中山科立特光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/032 | 分类号： | G01R33/032 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 528458 广东省中山市火炬开发区中心城区港义*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁场 探测 装置 系统 | ||
1.一种交变磁场探测装置，其特征在于，所述交变磁场探测装置包括：基底层、磁性材料层、热膨胀材料层、第一金属膜、第二金属膜和第三金属膜；所述磁性材料层设置在所述基底层一侧，所述热膨胀材料层设置在所述磁性材料层远离所述基底层的一侧，所述第一金属膜、所述第二金属膜和所述第三金属膜均为弧形，且半径相同，所述第一金属膜的弧长大于所述第二金属膜的弧长，所述第二金属膜的弧长大于所述第三金属膜的弧长，所述第一金属膜、所述第二金属膜和所述第三金属膜依次设置在所述热膨胀材料层远离所述基底层的一侧，所述第一金属膜、所述第二金属膜和所述第三金属膜形成台阶状结构。
2.根据权利要求1所述的交变磁场探测装置，其特征在于，所述磁性材料层上所述第一金属膜、所述第二金属膜和所述第三金属膜分别对应的投影的区域中所述磁性材料层的材料不同。
3.根据权利要求1所述的交变磁场探测装置，其特征在于，所述磁性材料层上所述第一金属膜、所述第二金属膜和所述第三金属膜分别对应的投影的区域中所述磁性材料层的材料相同。
4.根据权利要求3所述的交变磁场探测装置，其特征在于，所述磁性材料层上所述第一金属膜、所述第二金属膜和所述第三金属膜分别对应的投影的区域中所述磁性材料层的厚度不同。
5.根据权利要求1所述的交变磁场探测装置，其特征在于，所述第一金属膜、所述第二金属膜和所述第三金属膜的厚度均为40nm。
6.根据权利要求1所述的交变磁场探测装置，其特征在于，所述第一金属膜在所述磁性材料层上投影对应的位置上的所述磁性材料层的厚度为0nm。
7.根据权利要求1所述的交变磁场探测装置，其特征在于，所述第一金属膜、所述第二金属膜和所述第三金属膜的材料均为贵金属。
8.一种交变磁场探测系统，其特征在于，所述交变磁场探测系统包括：光源、光探测器和权利要求1-7任意一项所述交变磁场探测装置，所述光源用于产生出射光，并将产生的出射光发射到所述交变磁场探测装置的所述第一金属膜、所述第二金属膜和所述第三金属膜上，所述光探测器用于对所述第一金属膜、所述第二金属膜和所述第三金属膜出射光进行探测。
9.根据权利要求8所述的交变磁场探测系统，其特征在于，所述光源为手性光源，所述光探测器为光谱仪。
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