[发明专利]一种微同轴结构的制备方法及微同轴结构

权利要求书

1.一种微同轴结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1：提供第一基片和第二基片，所述第一基片包括相对的第一表面和第二表面，所述第二基片包括相对的第一表面和第二表面；

S2：设置分别贯穿所述第一基片和所述第二基片的上通槽、下通槽、上腔体和下腔体；

S3：于所述第一基片和所述第二基片的外表面上沉积隔离钝化层；

S4：在合模的所述第一基片和所述第二基片上下分别加设第一盖板和第二盖板；

S5：所述上通槽和所述下通槽共同形成贯通的通槽腔体结构，并且所述上腔体和所述下腔体形成内腔体结构，在所述通槽腔体结构和所述内腔体结构内分别填充金属介质而形成通槽金属层和腔体金属层；

S6：移除所述第一盖板和所述第二盖板进行脱模操作，并将所述第一基片和所述第二基片外表面的隔离钝化层去除；

S7：将所述第一基片和所述第二基片进行腐蚀去除操作，形成所述微同轴结构；

S8：在微同轴结构沿长度方向的两端分别形成一阶梯型端口，所述阶梯型端口至少露出所述腔体金属层，并作为所述微同轴结构的输入端口和输出端口。

2.根据权利要求1所述的微同轴结构的制备方法，其特征在于，所述步骤S2进一步包括：

S21：于所述第一基片的第一表面形成平行排列的第一槽孔、所述上腔体及第二槽孔，所述上腔体位于所述第一槽孔和所述第二槽孔之间，于所述第二基片的第一表面形成平行排列的第三槽孔、所述下腔体及第四槽孔，所述下腔体位于所述第三槽孔和所述第四槽孔之间；

S22：将所述第一槽孔和所述第二槽孔延伸至所述第一基片的第二表面分别形成第一通孔和第二通孔，于所述第一基片的第二表面上形成若干个沿所述上腔体长度方向平行间隔排布的第一沟槽，所述第一沟槽沿所述上腔体宽度方向横跨所述上腔体，且所述第一沟槽的两端分别与所述第一通孔和所述第二通孔相连通，所述第一通孔、所述第二通孔及若干个所述第一沟槽构成所述上通槽；

S23：将所述第三槽孔和所述第四槽孔延伸至所述第二基片的第二表面分别形成第三通孔和第四通孔，于所述第二基片的第二表面上形成若干个沿所述下腔体长度方向平行间隔排布的第二沟槽，所述第二沟槽沿所述下腔体宽度方向横跨所述下腔体，且所述第二沟槽的两端分别与所述第三通孔和所述第四通孔相连通，所述第三通孔、所述第四通孔及若干个所述第二沟槽构成所述下通槽。

3.根据权利要求1所述的微同轴结构的制备方法，其特征在于，“在所述通槽腔体结构和所述内腔体结构内分别填充金属介质而形成通槽金属层和腔体金属层”进一步包括：

合模的所述第一基片、所述第二基片加设所述第一盖板和所述第二盖板后形成微模具结构，将所述微模具结构放置在熔融状态的液态金属池表面或者通过在所述第二盖板上做通槽；

将合金通过该槽引入所述微模具结构中，使液态金属压入所述内腔体，或通过包括喷嘴或高压在内的喷射/引流装置压入所述内腔体；

高温熔化下金属进行对两个所述腔体结构流动填充操作，使流动填充类似于微流控，产生了流动填充机理。

4.根据权利要求3所述的微同轴结构的制备方法，其特征在于，还包括通过快速冷却的方式来提高填充金属介质的固化均匀性：将所述第一盖板暴露在外面，并对所述第一盖板包括吹冷气和压上冷却块在内的任意一冷却方式进行快速冷却。

5.根据权利要求4所述的微同轴结构的制备方法，其特征在于，还包括:

用物理或者化学沉积的方式在所述第一盖板和所述第二盖板表面沉积一层脱模材料，以辅助脱模。

6.根据权利要求1或2所述的微同轴结构的制备方法，其特征在于，还包括:所述第一基片和所述第二基片采用硅片、陶瓷、塑料至少其中之一在内的材料制成。

7.根据权利要求1所述的微同轴结构的制备方法，其特征在于，所述步骤S1与所述步骤S2之间还包括于所述第一基片的第一表面和第二表面形成氧化层、于所述第二基片的第一表面和第二表面形成氧化层的步骤。