[发明专利]一种圆片级薄膜封装方法及封装器件在审
| 申请号： | 202010640709.3 | 申请日： | 2020-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN111792621A | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 钟朋;裴彬彬;孙珂;杨恒;李昕欣 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;贾允 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 圆片级 薄膜 封装 方法 器件 | ||
1.一种圆片级薄膜封装方法，其特征在于，包括：
获取芯片圆片，所述芯片圆片包括衬底(301)、牺牲层(310)和外壳(303)，所述衬底(301)上设有微机械结构(302)，所述牺牲层(310)设置于所述微机械结构(302)与所述外壳(303)之间；
刻蚀部分所述牺牲层(310)，在所述衬底(301)与所述外壳(303)之间形成横向钻蚀孔(304)；
采用蒸发或溅射工艺在所述横向钻蚀孔(304)处沉积第一金属层(306)，所述第一金属层(306)具有纳米尺度的通孔(307)，所述通孔(307)与所述横向钻蚀孔(304)连通形成牺牲层(310)释放孔，所述第一金属层(306)的厚度大于所述横向钻蚀孔(304)在竖直方向上的尺寸；
在所述第一金属层(306)上沉积第二金属层(308)，所述第二金属层(308)的熔点低于所述第一金属层(306)的熔点；
通过所述牺牲层(310)释放孔释放所述牺牲层(310)，得到待封装器件；
加热所述待封装器件，加热温度介于所述第二金属层(308)的熔点与所述第一金属层(306)的熔点之间，使得所述第二金属层(308)熔融铺展，从而密封所述牺牲层(310)释放孔。
2.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述横向钻蚀孔(304)在水平方向上的尺寸大于所述横向钻蚀孔(304)在竖直方向上的尺寸。
3.根据权利要求2所述的封装方法，其特征在于，所述横向钻蚀孔(304)在竖直方向上的尺寸为0.1μm-3μm。
4.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述采用蒸发或溅射工艺在所述横向钻蚀孔(304)处沉积第一金属层(306)，包括：
加热所述衬底(301)，所述加热过程中的温度低于400℃。
5.根据权利要求4所述的封装方法，其特征在于，所述第一金属层(306)的熔点高于600℃，所述第二金属层(308)的熔点范围为150℃-400℃。
6.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述第二金属层(308)与所述第一金属层(306)相对的表面之间相互浸润。
7.根据权利要求6所述的封装方法，其特征在于，所述第二金属层(308)的厚度满足下列关系：
其中，H为所述第二金属层(308)的厚度；
a为所述通孔(307)在第一金属层(306)上表面开口的特征尺度；
θ为所述熔融金属液在所述第一金属层(306)上的接触角。
8.根据权利要求7所述的封装方法，其特征在于，所述第二金属层(308)的厚度小于10μm。
9.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述加热所述待封装器件，包括：
在真空环境中对所述待封装器件进行加热。
10.一种封装器件，其特征在于，所述封装器件为采用权利要求1-9任一项所述的封装方法制备而成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所，未经中国科学院上海微系统与信息技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010640709.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种导播控制方法、装置、系统及控制主机
- 下一篇：一种视联网接入系统
