[发明专利]一种R-T-B系永磁材料及其制备方法

权利要求书

1.一种R-T-B系永磁材料，其特征在于，以重量百分比计，其包括下述组分：

R：28.5 wt%~33.57 wt%；所述的R为稀土元素，其包含Nd和重稀土元素R^H，所述的R^H的含量为0.5 wt%~12.0 wt%；

Al：≥0.01 wt%；

Cu：0.05 wt%~1.0 wt%；

Co：0 wt%~2.5 wt%；

Ga：0.05 wt%~1.0 wt%；

Zr：0 wt%~0.7 wt%；

B：0.88 wt%~1.2 wt%；

所述的Cu和所述的Al的总含量≥0.65wt%；

所述的T包含Fe，Fe含量为64.18 wt%~65.01 wt%；

所述的R-T-B系永磁材料采用双合金工艺制备，其中，子合金与母合金的质量比为（3：97）~（4：96）；以重量百分比计，所述的子合金包括下述组分：

Dy：61.72 wt%；

Cu：1.40 wt%；

Co：30.96 wt%；

Al：0.90 wt%；

Zr：5.02 wt%。

2.如权利要求1所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述的R的含量为31.57 wt%~31.72 wt%；

和/或，所述的R为Nd和R^H；和/或，所述的Nd的含量为24.10 wt%~30.50 wt%；

和/或，所述的R^H的含量为2.45 wt%~6.00 wt%；

和/或，所述的R^H为（1）Dy；（2）Dy和Tb；或（3）Dy、Gd和Ho；

和/或，所述的Al的含量为0.78 wt%~1.16 wt%；

和/或，所述的Cu的含量为0.15 wt%~0.49 wt%；

和/或，所述的Co的含量为1.15 wt%~1.17 wt%；

和/或，所述的Ga的含量为0.17 wt%~0.59 wt%；

和/或，所述的Zr的含量为0.22 wt%；

和/或，所述的B的含量为0.95 wt%~0.96 wt%；和/或，所述的Cu和所述的Al的总含量为0.93 wt%~1.52 wt%；

和/或，所述的R-T-B系永磁材料由所述的R、所述的Al、所述的Cu、所述的Co、所述的Ga、所述的Zr、所述的B和所述的Fe组成；

和/或，所述的R-T-B系永磁材料里，C＜1000ppm；

和/或，所述的子合金与所述的母合金的质量比为（3.5：96.5）~（3.8：96.2）；

和/或，所述的R-T-B系永磁材料为方片或圆片；

和/或，所述的双合金工艺为工艺一、工艺二或工艺三；所述的工艺一包括下述步骤：将母合金细粉、子合金细粉进行混合，成型，烧结，时效处理，制得R-T-B系永磁材料；所述的工艺二包括下述步骤：将母合金氢破粉、子合金氢破粉进行混合，制粉，成型，烧结，时效处理，制得R-T-B系永磁材料；所述的工艺三包括下述步骤：将母合金片、子合金片进行混合，氢破，制粉，成型，烧结，时效处理，制得R-T-B系永磁材料。