[发明专利]超疏水膜层、制备方法和产品

权利要求书

1.一超疏水膜层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

在一PECVD镀膜设备中，以硅氧烷单体为反应原料通过等离子体增强化学气相沉积法在一基材的表面形成一超疏水膜层。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其中所述基材在形成所述超疏水膜层之前和之后的透光率改变不超过1％。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其中在所述形成所述超疏水膜层之前，所述制备方法进一步包括如下步骤：通入惰性气体，并且开启等离子体放电以离子轰击所述基材表面。

4.根据权利要求1或2所述的制备方法，其中在所述形成所述超疏水膜层步骤中，通入惰性气体作为辅助气体。

5.根据权利要求1或2所述的制备方法，其中在上述方法中，所述PECVD镀膜设备以ICP源作为离子源。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其中在上述方法中，所述PECVD镀膜设备的一腔室内被施加有一偏压电压，所述基材被放置于所述腔室内。

7.根据权利要求1或2所述的制备方法，其中在上述方法中，所述基材被放置于一转架，以在运动过程中被镀膜。

8.根据权利要求3所述的制备方法，其中所述离子轰击步骤被实施为包括如下步骤：

抽真空以控制所述PECVD镀膜设备的一腔室的真空度不大于1×10^-1Pa，其中所述基材被放置于所述腔室内；和

通入惰性气体并且在所述腔室内施加10-800V偏压，控制ICP源功率为50-1000W，控制真空度为0.1-50Pa以进行离子轰击活化。

9.根据权利要求1或2所述的制备方法，其中所述形成所述超疏水膜层步骤被实施为：

通入所述硅氧烷单体蒸汽和惰性气体，其中，单体流量为20-2000uL/min，惰性气体流量为10-1000sccm，并且在所述PECVD镀膜设备的一腔室内施加50-1000V偏压，控制ICP源功率为100-1000W，控制真空度为0.1-80Pa以在被放置于所述腔室内的所述基材表面形成所述超疏水膜层。

10.根据权利要求1或2所述的制备方法，其中所述硅氧烷是烃基硅氧烷化合物，在反应过程中在所述基材表面形成甲基悬挂键以降低所述基材表面的表面能。

11.根据权利要求1或2所述的制备方法，其中所述硅氧烷化合物选自组合六甲基二硅氧烷、四甲基二硅氧烷、六乙基二硅氧烷、1,1,3,3-四甲基二硅氧烷、四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、四丙氧基硅烷、烯丙基三甲氧基硅烷、三甲基环三硅氧烷、六甲基环三硅氧烷、八甲基环四硅氧烷、四甲基四乙烯基环四硅氧烷、十二甲基环六硅氧烷、十甲基环五硅氧烷中的一种或者几种。

12.根据权利要求1或2所述的制备方法，其中所述硅氧烷化合物具有如下结构：

其中，R₁到R₆中的每个独立地选自组合C₁-C₆烷基、C₂-C₆烯基和氢中的一种，其中R₁到R₆中的至少一个不表示氢，其中R₁到R₆中的至少一个带有烃基。