[发明专利]半导体异质结/同质结及其制备方法和具有其的光催化剂

权利要求书

1.一种半导体异质结/同质结，其特征在于，包括：

第一半导体层；

第二半导体层，所述第一半导体层设在所述第二半导体层上，

其中，

所述第一半导体层和所述第二半导体层中至少之一的厚度不超出所述半导体异质结/同质结的空间电荷区宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体异质结/同质结，其特征在于，所述第一半导体层和所述第二半导体层的带隙能分别独立地不低于1.8ev。

3.根据权利要求1所述的半导体异质结/同质结，其特征在于，所述第一半导体层的导带底比H₂O/H₂的还原电势更负，所述第二半导体层价带顶比O₂/H₂O的氧化电势更正。

4.根据权利要求1所述的半导体异质结/同质结，其特征在于，所述第二半导体层的功函数大于所述第一半导体层的功函数。

5.根据权利要求1所述的半导体异质结/同质结，其特征在于，所述第一半导体层和所述第二半导体层的吸收边分别独立地不高于688nm。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的半导体异质结/同质结，其特征在于，进一步包括：基底层，所述第二半导体层设在所述基底层上。

7.根据权利要求6所述的半导体异质结/同质结，其特征在于，所述基底层为具有微孔的金属层或具有微孔的陶瓷层。

8.一种制备权利要求1-7中任一项所述的半导体异质结/同质结的方法，其特征在于，包括：通过物理气相沉积在基底上依次形成第二半导体层和第一半导体层。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述基底为可溶性基底或易脱膜固体基底，通过物理气相沉积在基底上依次形成第二半导体层和第一半导体层之后包括：去除所述基底。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述物理气相沉积包括电子束蒸发镀膜、阻蒸、溅射镀膜或离子镀膜。

11.一种光催化剂，其特征在于，所述光催化剂包括权利要求1-7中任一项所述的半导体异质结/同质结或采用权利要求8-10中任一项所述的方法得到的半导体异质结/同质结。