[发明专利]具有双侧冷却的模制半导体封装

权利要求书

1.一种制造模制半导体封装的方法，所述方法包括：

将在半导体管芯的第一侧处的第一负载端子附接到引线框架，所述半导体管芯具有在与所述第一侧相对的第二侧处的第二负载端子以及在所述第一侧或所述第二侧处的控制端子；

将所述半导体管芯包封在可激光活化模制化合物中，使得所述引线框架在所述模制半导体封装的第一侧处从所述可激光活化模制化合物至少部分地暴露，并且所述第二负载端子在所述模制半导体封装的与所述第一侧相对的第二侧处从所述可激光活化模制化合物至少部分地暴露；以及

对所述可激光活化模制化合物的第一区进行激光活化，以形成第一激光活化区，所述第一激光活化区形成至所述第二负载端子的电连接的部分。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

对所述第二负载端子的通过所述可激光活化模制化合物中的所述第一空腔暴露的部分和所述第一激光活化区进行镀覆，以形成至所述第二负载端子的连接。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述半导体管芯包封在所述可激光活化模制化合物中包括：

在所述可激光活化模制化合物中形成第一空腔，所述第一空腔在所述模制半导体封装的所述第二侧处暴露所述第二负载端子的至少部分。

4.根据权利要求3所述的方法，还包括：

用导电膏填充所述可激光活化模制化合物中的所述第一空腔；以及

使所述导电膏固化，以完成所述第一激光活化区和所述第二负载端子之间的所述电连接。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述控制端子在所述半导体管芯的所述第二侧处，并且其中，将所述半导体管芯包封在所述可激光活化模制化合物中包括：

在所述可激光活化模制化合物中形成第二空腔，所述第二空腔在所述模制半导体封装的所述第二侧处暴露所述控制端子的至少部分，

其中，所述第一空腔和所述第二空腔通过所述可激光活化模制化合物的形成在所述半导体管芯的所述第二侧上的在所述第二负载端子和所述控制端子之间的区段相互隔开。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述控制端子在所述半导体管芯的所述第二侧处，所述方法还包括：

对所述可激光活化模制化合物的第二区进行激光活化，以形成第二激光活化区，所述第二激光活化区形成至所述控制端子的电连接的部分。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述控制端子在所述半导体管芯的所述第一侧处，并且所述方法还包括：

将金属引线附接到所述控制端子，

其中，所述引线框架的垂直延伸部为所述第一负载端子带来从所述模制半导体封装的所述第一侧到所述模制半导体封装的所述第二侧的电连接，

其中，所述金属引线的垂直延伸部为所述控制端子带来从所述模制半导体封装的所述第一侧到所述模制半导体封装的所述第二侧的电连接。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，对所述可激光活化模制化合物的所述第一区进行激光活化包括：

对形成在所述可激光活化模制化合物的边缘中的多个凹口进行激光活化；以及

对所述可激光活化模制化合物的插入在所述多个凹口和所述第二负载端子之间的区段进行激光活化。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括：

对所述引线框架的在所述模制半导体封装的所述第一侧处的暴露部分进行图案化，以提高所述引线框架的热效率。