[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底；

鳍部，位于所述衬底上，所述鳍部包括第一区，所述第一区的鳍部包括：栅极槽和位于相邻所述栅极槽之间的沟道层；

栅极结构，位于所述衬底上且横跨所述鳍部，覆盖所述第一区的鳍部侧壁和顶部，填充满所述栅极槽且包围所述沟道层，位于所述栅极槽内的所述栅极结构的宽度小于位于所述第一区的鳍部顶部的所述栅极结构的宽度。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：侧墙，所述侧墙位于所述栅极结构的侧壁上，所述侧墙采用叠层结构，包括第一侧墙和第二侧墙，所述第一侧墙位于所述栅极结构的侧壁上，所述第二侧墙位于所述第一侧墙的侧壁上。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，还包括：阻挡层，所述阻挡层位于所述栅极槽内的所述栅极结构的侧壁上。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述阻挡层的侧壁位于所述第一侧墙的侧壁与所述第二侧墙的侧壁之间或者所述阻挡层的侧壁位于所述栅极结构的侧壁与所述第一侧墙的侧壁之间或者所述阻挡层的侧壁与所述第二侧墙的侧壁齐平。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述鳍部还包括第二区，以及位于所述第二区的鳍部内的源漏掺杂层，所述第二区的鳍部位于所述栅极结构的两侧。

6.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成鳍部，所述鳍部包括若干层沿所述衬底表面法线方向重叠的牺牲层、以及位于相邻两层所述牺牲层之间的沟道层；

在所述衬底上形成横跨所述鳍部的伪栅结构；

刻蚀所述伪栅结构两侧的所述鳍部，在所述鳍部内形成源漏凹槽；

刻蚀所述源漏凹槽侧壁的部分所述牺牲层，形成修正牺牲层，所述修正牺牲层的宽度小于位于所述鳍部顶部的所述伪栅结构的宽度。

7.如权利要求6所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在刻蚀所述伪栅结构两侧的所述鳍部，在所述鳍部内形成源漏凹槽之前，还包括：在所述伪栅结构的侧壁上形成侧墙，所述侧墙采用叠层结构，包括第一侧墙和第二侧墙，所述第一侧墙位于所述栅极结构的侧壁上，所述第二侧墙位于所述第一侧墙的侧壁上。

8.如权利要求7所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：在刻蚀所述源漏凹槽侧壁的部分所述牺牲层，形成修正牺牲层的过程中，在所述修正牺牲层的两侧形成凹槽，在所述凹槽内形成阻挡层。

9.如权利要求8所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述阻挡层的侧壁位于所述第一侧墙的侧壁与所述第二侧墙的侧壁之间或者所述阻挡层的侧壁位于所述栅极结构的侧壁与所述第一侧墙的侧壁之间或者所述阻挡层的侧壁与所述第二侧墙的侧壁齐平。

10.如权利要求8所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在形成所述阻挡层之后，还包括：在所述源漏掺杂内形成源漏掺杂层，在所述源漏掺杂层上形成介质层，所述介质层覆盖所述伪栅结构的侧壁，去除所述伪栅结构和所述修正牺牲层，在所述介质层内形成栅极开口和在相邻所述沟道层之间、所述沟道层与所述衬底之间以及所述沟道层的顶部形成栅极槽，在所述栅极开口和所述栅极槽内形成栅极结构，所述栅极结构包围所述沟道层。