[发明专利]一种开窗孔双面电镀厚铜膜工艺有效
| 申请号： | 202010641706.1 | 申请日： | 2020-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN111710647B | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 严立巍;李景贤;陈政勋 | 申请（专利权）人： | 绍兴同芯成集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/3065;H01L21/683;H01L23/367 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 王依 |
| 地址： | 312000 浙江省绍兴市越城区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 开窗 双面 电镀 厚铜膜 工艺 | ||
1.一种开窗孔双面电镀厚铜膜工艺，其特征在于，包括以下步骤：
S1：在晶圆正面完成Contact及W-plug后，在晶圆背面依次镀上附着层、阻挡层和铜种子层；
S2：将晶圆正面键合玻璃载板上，中间层为黏着剂层及释放层；
S3：研磨及蚀刻晶圆背面，使晶圆厚度为30～150pm；
S4：在晶圆背面元件进行制程；
S5：晶圆背面镀上附着层、阻挡层和铜种子层；
S6：在玻璃载板对应晶圆正面的I/O PAD W-Plug区域打开窗口；
S7：在晶圆正面进行黄光工序，图案决定好正面厚铜模位置；
S8：在晶圆背面进行黄光工序，以厚膜光阻保护切割道区域；
S9：双面电镀厚膜Cu ECP后去除光阻层；
S10：用蚀刻将双面的Ti/Ni/Cu去除掉,蚀刻停止在晶圆表面；
S11：背面晶圆以厚膜铜为Hard Mask,用SF6电浆蚀刻硅切割道，停止在黏着剂层,使用羟胺类去除剂清洗蚀刻后残留在晶圆表面的残留物及聚合物；
S12：切割道上进行PECVD进行沉积薄膜操作，蚀刻在晶圆背面及已切割沟槽的内侧壁生成厚度为的氧化硅或氮化硅保护层；
S13：以含氟气体进行电浆化处理，并提供偏压电位，刻蚀氧化硅或氮化硅形成侧壁；
S14：使用羟胺类去除剂清洗蚀刻后残留在晶圆表面的残留物及聚合物；
S15：将晶片翻转，使晶圆背面附着在蓝膜框架上；
S16：通过紫外线光照或热处理或镭射方式解离粘合剂层释放层粘性，将玻璃载板从晶圆上移除；
S17：使用有机溶剂清洗晶圆上的粘合剂层，完成具有铜散热片的晶粒完成晶粒在切割框架。
2.根据权利要求1所述的一种开窗孔双面电镀厚铜膜工艺，其特征在于：在步骤S1中，附着层为钛层，钛层厚度为1至2微米，阻挡层为镍层，镍层的厚度为1至2微米。
3.根据权利要求1所述的一种开窗孔双面电镀厚铜膜工艺，其特征在于：在步骤S4中，制程包括photo lithography制程、Implantation制程和Annealing制程。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
