[发明专利]一种混合等离子体波导的光电探测器有效
申请号: | 202010641914.1 | 申请日: | 2020-07-06 |
公开(公告)号: | CN111952400B | 公开(公告)日: | 2022-04-08 |
发明(设计)人: | 黄旭光;张新;梁勇 | 申请(专利权)人: | 华南师范大学 |
主分类号: | H01L31/109 | 分类号: | H01L31/109;H01L31/0232;H01L31/0336 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 蔡伟杰 |
地址: | 510000 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 混合 等离子体 波导 光电 探测器 | ||
1.一种混合等离子体波导的光电探测器,其特征在于:包括:衬底,所述衬底的上表面铺设有硅波导和第一金属电极,所述硅波导的上表面设有由黑砷磷薄膜和石墨烯薄膜相接触组成的异质结,所述石墨烯薄膜的一部分与黑砷磷薄膜相接触,所述异质结的上表面设有第二金属电极,所述石墨烯薄膜的一部分延伸离开硅波导,并与第一金属电极的上表面接触。
2.根据权利要求1所述的一种混合等离子体波导的光电探测器,其特征在于:所述石墨烯薄膜的下表面与硅波导的上表面接触,所述石墨烯薄膜的上表面与黑砷磷薄膜的下表面接触,所述黑砷磷薄膜的上表面与第二金属电极接触。
3.根据权利要求1所述的一种混合等离子体波导的光电探测器,其特征在于:所述第一金属电极的材质为金、银或者铜。
4.根据权利要求1所述的一种混合等离子体波导的光电探测器,其特征在于:所述第二金属电极的材质为金、银或者铜。
5.根据权利要求1所述的一种混合等离子体波导的光电探测器,其特征在于:所述第一金属电极与第二金属电极之间的距离大于等于10nm且小于等于100nm。
6.根据权利要求1所述的一种混合等离子体波导的光电探测器,其特征在于:所述黑砷磷薄膜的禁带宽度≤0.15eV。
7.根据权利要求1所述的一种混合等离子体波导的光电探测器,其特征在于:所述衬底为二氧化硅。
8.根据权利要求1所述的一种混合等离子体波导的光电探测器,其特征在于:所述石墨烯薄膜为单层石墨烯。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的