[发明专利]一种MCU的保护装置、MCU电路及其保护方法在审
| 申请号： | 202010642312.8 | 申请日： | 2020-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN111880443A | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 杨静怡 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司 |
| 主分类号： | G05B19/042 | 分类号： | G05B19/042 |
| 代理公司： | 北京煦润律师事务所 11522 | 代理人： | 朱清娟;梁永芳 |
| 地址： | 519070*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mcu 保护装置 电路 及其 保护 方法 | ||
1.一种MCU的保护装置，其特征在于，包括：去耦单元、限流单元和/或接地单元；其中，
所述去耦单元，用于对所述MCU的供电电源的供电信号进行去耦处理，以降低所述MCU的供电端口的阻抗；和/或，
所述限流单元，用于对所述MCU的I/O端口的I/O信号进行限流处理，以降低所述MCU的I/O端口上的干扰电流；和/或，
所述接地单元，用于将所述MCU的模拟地和所述MCU的数字地连接在一起，为所述MCU的数字电路上的干扰信号提供泄放通道。
2.根据权利要求1所述的MCU的保护装置，其特征在于，所述去耦单元，包括：两个以上去耦电容；两个以上所述去耦电容，并联设置在所述MCU的供电端口。
3.根据权利要求2所述的MCU的保护装置，其特征在于，所述MCU的供电端口，包括：VSS端口和VDD端口；两个以上所述去耦电容中每个去耦电容的第一端，连接至所述VSS端，并连接至所述MCU的外部模拟地；每个去耦电容的第二端，连接至所述VDD端，并连接至所述MCU的供电电源的供电端。
4.根据权利要求2所述的MCU的保护装置，其特征在于，所述去耦单元，还包括：晶振；所述晶振，设置在所述MCU的时钟端口。
5.根据权利要求4所述的MCU的保护装置，其特征在于，所述晶振、和/或两个以上所述去耦电容，与所述MCU的供电端之间的距离，在设定距离范围内。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的MCU的保护装置，其特征在于，所述限流单元，包括：限流电阻；所述限流电阻的数量，与所述MCU的I/O端口的数量相同；每个所述限流电阻，设置在所述MCU的每个I/O端口。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的MCU的保护装置，其特征在于，所述接地单元，包括：导线；所述导线，用于将所述MCU的数字地连接至所述MCU的模拟地，并连接至所述MCU的外部模拟地。
8.一种MCU电路，其特征在于，包括：如权利要求1至7中任一项所述的MCU的保护装置。
9.一种MCU的保护方法，其特征在于，包括：
通过去耦单元，对所述MCU的供电电源的供电信号进行去耦处理，以降低所述MCU的供电端口的阻抗；和/或，
通过限流单元，对所述MCU的I/O端口的I/O信号进行限流处理，以降低所述MCU的I/O端口上的干扰电流；和/或，
通过接地单元，将所述MCU的模拟地和所述MCU的数字地连接在一起，为所述MCU的数字电路上的干扰信号提供泄放通道。
10.根据权利要求9所述的MCU的保护方法，其特征在于，在去耦单元中，晶振、和/或两个以上去耦电容，与MCU的供电端之间的距离，在设定距离范围内。
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