[发明专利]一种彩色电子轰击图像传感器件有效
申请号: | 202010643691.2 | 申请日: | 2020-07-07 |
公开(公告)号: | CN111883549B | 公开(公告)日: | 2022-08-16 |
发明(设计)人: | 徐鹏霄;尤国庆;王东辰;唐光华;陈鑫龙 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人: | 陈鹏 |
地址: | 210016 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 彩色 电子 轰击 图像传感器 | ||
1.一种彩色电子轰击图像传感器件,其特征在于,包括滤色膜(1)、输入光窗(2)、光电阴极(3)、背照式CMOS图像传感器(5)、多层陶瓷管体(4)和PGA针栅阵列(9);
所述滤色膜(1)蒸镀在输入光窗(2)上表面,光电阴极(3)制作在输入光窗(2)下表面;滤色膜(1)用于实现光信号红、绿、蓝三色分光进而获得三原色光;光电阴极(3)用于实现三原色光的光电转换;所述的背照式CMOS图像传感器(5)作为光电子接收极,固定在多层陶瓷管体(4)内;
所述的多层陶瓷管体(4)将背照式CMOS图像传感器(5)多路信号引脚与外部PGA针栅阵列(9)实现互连,并保证传感器件的密封;
所述的光电阴极(3)与背照式CMOS图像传感器(5)之间的距离通过多层陶瓷管体(4)控制并实现绝缘;所述的背照式CMOS图像传感器(5)用于接收三原色光转换的光电子,光电子经高压电场加速后实现信号的倍增放大,最终还原为彩色图像信号后输出。
2.根据权利要求1所述的彩色电子轰击图像传感器件,其特征在于:所述滤色膜(1)采用红、绿、蓝三层滤色膜系,通过光学镀膜方式蒸镀在输入光窗(2)上表面,为单元尺寸5μm~30μm的阵列化周期排布结构。
3.根据权利要求1所述的彩色电子轰击图像传感器件,其特征在于:所述光电阴极(3)采用多碱光电阴极或GaAs光电阴极,用于实现红、绿、蓝三原色光的光电转换,制作在输入光窗下表面,工作时施加1000伏~10000伏的负高压。
4.根据权利要求1所述的彩色电子轰击图像传感器件,其特征在于:所述背照式CMOS图像传感器(5)为经表面镀膜处理的CMOS图像传感器。
5.根据权利要求4所述的彩色电子轰击图像传感器件,其特征在于:所述背照式CMOS图像传感器(5)通过焊料烧结的方式固定在多层陶瓷管体(4)内。
6.根据权利要求1所述的彩色电子轰击图像传感器件,其特征在于:所述多层陶瓷管体(4)采用高温或低温共烧多层陶瓷管体,并采用PGA针栅阵列输出。
7.根据权利要求1所述的彩色电子轰击图像传感器件,其特征在于:所述输入光窗(2)与多层陶瓷管体(4)通过铟或铟锡焊料封接实现密封连接。
8.根据权利要求1所述的彩色电子轰击图像传感器件,其特征在于:所述背照式CMOS图像传感器(5)的电极通过超声键合方式将金丝(6)连接至多层陶瓷管体(4)的对应底座焊盘(8)上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的