[发明专利]一种彩色电子轰击图像传感器件有效

专利信息
申请号: 202010643691.2 申请日: 2020-07-07
公开(公告)号: CN111883549B 公开(公告)日: 2022-08-16
发明(设计)人: 徐鹏霄;尤国庆;王东辰;唐光华;陈鑫龙 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 南京理工大学专利中心 32203 代理人: 陈鹏
地址: 210016 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 彩色 电子 轰击 图像传感器
【权利要求书】:

1.一种彩色电子轰击图像传感器件,其特征在于,包括滤色膜(1)、输入光窗(2)、光电阴极(3)、背照式CMOS图像传感器(5)、多层陶瓷管体(4)和PGA针栅阵列(9);

所述滤色膜(1)蒸镀在输入光窗(2)上表面,光电阴极(3)制作在输入光窗(2)下表面;滤色膜(1)用于实现光信号红、绿、蓝三色分光进而获得三原色光;光电阴极(3)用于实现三原色光的光电转换;所述的背照式CMOS图像传感器(5)作为光电子接收极,固定在多层陶瓷管体(4)内;

所述的多层陶瓷管体(4)将背照式CMOS图像传感器(5)多路信号引脚与外部PGA针栅阵列(9)实现互连,并保证传感器件的密封;

所述的光电阴极(3)与背照式CMOS图像传感器(5)之间的距离通过多层陶瓷管体(4)控制并实现绝缘;所述的背照式CMOS图像传感器(5)用于接收三原色光转换的光电子,光电子经高压电场加速后实现信号的倍增放大,最终还原为彩色图像信号后输出。

2.根据权利要求1所述的彩色电子轰击图像传感器件,其特征在于:所述滤色膜(1)采用红、绿、蓝三层滤色膜系,通过光学镀膜方式蒸镀在输入光窗(2)上表面,为单元尺寸5μm~30μm的阵列化周期排布结构。

3.根据权利要求1所述的彩色电子轰击图像传感器件,其特征在于:所述光电阴极(3)采用多碱光电阴极或GaAs光电阴极,用于实现红、绿、蓝三原色光的光电转换,制作在输入光窗下表面,工作时施加1000伏~10000伏的负高压。

4.根据权利要求1所述的彩色电子轰击图像传感器件,其特征在于:所述背照式CMOS图像传感器(5)为经表面镀膜处理的CMOS图像传感器。

5.根据权利要求4所述的彩色电子轰击图像传感器件,其特征在于:所述背照式CMOS图像传感器(5)通过焊料烧结的方式固定在多层陶瓷管体(4)内。

6.根据权利要求1所述的彩色电子轰击图像传感器件,其特征在于:所述多层陶瓷管体(4)采用高温或低温共烧多层陶瓷管体,并采用PGA针栅阵列输出。

7.根据权利要求1所述的彩色电子轰击图像传感器件,其特征在于:所述输入光窗(2)与多层陶瓷管体(4)通过铟或铟锡焊料封接实现密封连接。

8.根据权利要求1所述的彩色电子轰击图像传感器件,其特征在于:所述背照式CMOS图像传感器(5)的电极通过超声键合方式将金丝(6)连接至多层陶瓷管体(4)的对应底座焊盘(8)上。

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