[发明专利]垂直的霍尔传感器结构

权利要求书

1.一种垂直的霍尔传感器结构(HAL)，所述垂直的霍尔传感器结构具有，

衬底层(SUB)，

第一导电类型的半导体区域(HG)，所述第一导电类型的半导体区域构造在所述衬底层(SUB)上或在所述衬底层中，其中，所述半导体区域(HG)借助介电层或借助p/n结与所述衬底层(SUB)电隔离，

至少一个第一导电类型的第一、第二和第三半导体接通区域(HK1)，所述至少一个第一导电类型的第一、第二和第三半导体接通区域分别从所述半导体区域(HG)的上侧延伸到所述半导体区域(HG)中，

所述第一导电类型的半导体接通区域(HK1)彼此间隔开，

在每个所述第一导电类型的半导体接通区域(HK1)上布置有一个金属连接接通层(K1)，

其特征在于，

设有至少一个第二导电类型的第一半导体接通区域(HK2)，所述至少一个第二导电类型的第一半导体接通区域延伸到所述半导体区域(HG)中，其中，

所述第二导电类型的第一半导体接通区域(HK2)与所述第一导电类型的第一半导体接通区域(HK1)邻接，或至所述第一导电类型的第一半导体接通区域(HK1)具有最高0.2μm的间隔，其中，

所述第一导电类型的第一半导体接通区域(HK1)与所述第二导电类型的第一半导体接通区域(HK2)导电地连接。

2.根据权利要求1所述的垂直的霍尔传感器结构(HAL)，其特征在于，所述第一导电类型的第一半导体接通区域(HK1)具有第一区域和第二区域，其中，所述第二导电类型的第一半导体接通区域(HK2)布置在所述第一区域与所述第二区域之间，所述第二导电类型的第一半导体接通区域与所述第一区域以及所述第二区域邻接或具有最高0.2μm的间隔。

3.根据权利要求1所述的垂直的霍尔传感器结构(HAL)，其特征在于，所述霍尔传感器结构(HAL)包括所述第二导电类型的第二半导体接通区域(HK2)，其中，所述第二导电类型的第一半导体接通区域(HK2)与所述第一导电类型的第一半导体接通区域(HK1)的第一侧面邻接或者至所述第一侧面具有最高0.2μm的间隔，并且所述第二导电类型的第二半导体接通区域(HK2)与所述第一导电类型的第一半导体接通区域(HK1)的第二侧面邻接或者至所述第二侧面具有最高0.2μm的间隔，所述第二侧面与所述第一侧面相对置。

4.根据权利要求1或2所述的垂直的霍尔传感器结构(HAL)，其特征在于，所述第一导电类型的半导体接通区域(HK1)和所述第二导电类型的半导体接通区域(HK2)分别具有矩形的上侧。

5.根据以上权利要求中任一项所述的垂直的霍尔传感器结构(HAL)，其特征在于，所述第一导电类型的半导体接通区域(HK1)沿直线布置，其中，所述第一导电类型的第一半导体接通区域(HK1)沿所述直线居中地布置在所述第一导电类型的其他的半导体接通区域(HK1)之间。

6.根据以上权利要求中任一项所述的垂直的霍尔传感器结构(HAL)，其特征在于，所述霍尔传感器结构(HAL)具有至少一个第二导电类型的附加的半导体接通区域(HK3)，其中，所述第二导电类型的附加的半导体接通区域(HK2)沿着所述半导体区域(HG)的上侧的边缘从所述上侧延伸到所述半导体区域(HG)中，并且至所述第一导电类型的多个半导体接通区域(HK1)分别具有间隔。

7.根据权利要求6所述的垂直的霍尔传感器结构(HAL)，其特征在于，所述第二导电类型的附加的半导体接通区域(HK3)被钳位到参考电位。

8.根据以上权利要求中任一项所述的垂直的霍尔传感器结构(HAL)，其特征在于，所述霍尔传感器结构(HAL)具有介电的隔离层(ISO1)，其中，所述隔离层(ISO1)包括氧化物，所述隔离层覆盖所述衬底层(SUB)的上侧以及所述半导体区域(HG)的上侧，并且所述隔离层(ISP1)具有至少1nm的厚度或具有在3nm至30nm之间的范围内的厚度。