[发明专利]二极管雪崩击穿能力测试系统有效

专利信息
申请号: 202010644271.6 申请日: 2020-07-07
公开(公告)号: CN111693842B 公开(公告)日: 2022-09-23
发明(设计)人: 于圣慧;李强 申请(专利权)人: 吉林华微电子股份有限公司
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26
代理公司: 成都极刻智慧知识产权代理事务所(普通合伙) 51310 代理人: 唐维虎
地址: 132000 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要:
搜索关键词: 二极管 雪崩 击穿 能力 测试 系统
【说明书】:

本申请实施例提供一种二极管雪崩击穿能力测试系统,涉及半导体器件测试技术领域。该测试系统通过电位调节电路输出的调节电压及整流电路的反馈电压控制驱动电路的工作状态,以对整流电路输出电压进行调整,从而实现对施加在待测试二极管的电压的调整。通过上述对施加在待测试二极管的电压的调整,模拟待测试二极管的雪崩击穿过程,依此比对不同待测试二极管的耐雪崩击穿性能。

技术领域

本申请涉及半导体器件测试技术领域,具体而言,涉及一种二极管雪崩击穿能力测试系统。

背景技术

相同VRRM(最大反向重复峰值电压)参数的二极管(比如,肖特基二极管及快恢复二极管等),由于设计、工艺、材料和芯片大小的不同,在电路中应用时,如果有过高反向电压使其产生雪崩击穿,不同的二极管其承受能力也是存在显著差异的。主要原因是不同二极管的EAS(单脉冲最大雪崩能量)参数存在区别,EAS参数标定了不同二极管可以容忍的瞬时过冲电压的安全值,目前二极管产品规格书一般不会标称EAS参数,如何对不同二极管的雪崩击穿能力进行测试,是本领域技术人员需要解决的技术问题。

发明内容

为了克服上述技术背景中所提及的技术问题,本申请实施例提供一种二极管雪崩击穿能力测试系统。

本申请提供一种二极管雪崩击穿能力测试系统,包括:方波发生电路、电位调节电路、稳压反馈电路、驱动电路、开关电路、整流电路及测试电路;

所述方波发生电路用于产生方波信号;

所述稳压反馈电路包括放大电路,所述放大电路与所述方波发生电路连接,用于将方波信号进行放大;

所述驱动电路与所述放大电路连接,用于对所述方波信号进行再次放大;

所述开关电路与所述驱动电路连接,所述开关电路包括变压器,并通过所述变压器提升输出电压;

所述整流电路与所述开关电路连接,对输出电压进行整流并放大;

所述测试电路与所述整流电路连接,并通过所述整流电路的输出电压对待测试二极管进行雪崩击穿能力测试;

所述稳压反馈电路还包括电压反馈电路,所述电压反馈电路分别与所述电位调节电路、整流电路及驱动电路连接,根据所述电位调节电路的调节电压和所述整流电路的反馈电压控制所述驱动电路的工作状态,以改变所述整流电路的输出电压。

在本申请的一种可能实施例中,所述放大电路包括第一放大器和第二放大器,所述第一放大器的反相输入端和所述第二放大器的同相输入端与所述方波发生电路的输出端连接,以分别对所述方波发生电路输出的方波信号进行放大,所述第一放大器的输出端和所述第二放大器的输出端分别输出两个相位相反的方波信号。

在本申请的一种可能实施例中,所述驱动电路包括第一射极输出电路及第二射极输出电路,所述第一射极输出电路的输入端与所述第一放大器的输出端连接,所述第二射极输出电路的输入端与所述第二放大器的输出端连接,所述第一射极输出电路的输出端及所述第二射极输出电路的输出端与所述开关电路连接。

在本申请的一种可能实施例中,所述第一射极输出电路包括第一NPN三极管、第一二极管,第一NPN三极管的基极作为所述第一射极输出电路的输入端,第一NPN三极管的发射极作为所述第一射极输出电路的输出端,所述第一二极管连接在第一NPN三极管的基极与发射极之间,用于加快所述第一NPN三极管的关断速度;

所述第二射极输出电路包括第二NPN三极管、第二二极管,第二NPN三极管的基极作为所述第二射极输出电路的输入端,第二NPN三极管的发射极作为所述第二射极输出电路的输出端,所述第二二极管连接在第二NPN三极管的基极与发射极之间,用于加快所述第二NPN三极管的关断速度。

在本申请的一种可能实施例中,所述开关电路还包括:第一MOS管和第二MOS管;

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