[发明专利]半导体封装件在审
申请号: | 202010644598.3 | 申请日: | 2020-07-07 |
公开(公告)号: | CN112397468A | 公开(公告)日: | 2021-02-23 |
发明(设计)人: | 朴正镐;金达譓;朴镇右;张在权 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L23/485 | 分类号: | H01L23/485;H01L23/31 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 孙丽妍;张川绪 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 | ||
1.一种半导体封装件,包括:
重新分布结构,包括彼此相对的第一面和第二面;
第一半导体芯片,安装在所述重新分布结构的所述第一面上;
第一重新分布焊盘,从所述重新分布结构的所述第二面暴露并且具有第一宽度;
第二重新分布焊盘,从所述重新分布结构的所述第二面暴露并且具有比所述第一重新分布焊盘的所述第一宽度小的第二宽度;
第一焊球,与所述第一重新分布焊盘接触并且具有第三宽度;以及
第二焊球,与所述第二重新分布焊盘接触并且具有比所述第一焊球的所述第三宽度小的第四宽度,
其中,所述第一重新分布焊盘的第一距离小于所述第二重新分布焊盘的第二距离,所述第一距离和所述第二距离是相对于与所述第一焊球的下部和所述第二焊球的下部相交的参考平面测量的。
2.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述重新分布结构包括与所述第一半导体芯片叠置的芯片区域以及不与所述第一半导体芯片叠置的扇出区域。
3.根据权利要求1所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括:
模制部,在所述重新分布结构的所述第一面上方覆盖所述第一半导体芯片的至少一部分。
4.根据权利要求3所述的半导体封装件,其中,所述模制部的侧表面与所述重新分布结构的侧表面连续。
5.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述重新分布结构包括:
多个绝缘层,包括感光电介质;
多个重新分布层,在从所述第一面朝向所述第二面的方向上顺序地堆叠在所述多个绝缘层的内部;以及
多个过孔,贯穿所述绝缘层并且将所述多个重新分布层彼此连接。
6.根据权利要求5所述的半导体封装件,其中,所述多个过孔中的每个过孔的宽度在从所述第二面朝向所述第一面的方向上逐渐减小。
7.根据权利要求5所述的半导体封装件,其中,所述多个过孔中的每个过孔的宽度在从所述第一面朝向所述第二面的方向上逐渐减小。
8.根据权利要求1-7中的任一项所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括:
多个芯片凸块,所述多个芯片凸块将所述第一半导体芯片和所述重新分布结构电连接。
9.根据权利要求1-7中的任一项所述的半导体封装件,其中,所述第一重新分布焊盘的与所述第一焊球接触的第一接触面以及所述第二重新分布焊盘的与所述第二焊球接触的第二接触面与所述重新分布结构的所述第二面连续,或者从所述重新分布结构的所述第二面突出。
10.根据权利要求1-7中的任一项所述的半导体封装件,其中,所述重新分布结构的所述第二面向上凹。
11.根据权利要求1-7中的任一项所述的半导体封装件,其中,所述第二重新分布焊盘比所述第一重新分布焊盘间隔所述重新分布结构的边缘远。
12.根据权利要求1-7中的任一项所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括:
第二半导体芯片,安装在所述重新分布结构的所述第一面上。
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