[发明专利]用于驱控功率半导体开关的驱控装置

权利要求书

1.用于驱控功率半导体开关(T)的驱控装置，所述驱控装置具有：

驱控电路(2)，所述驱控电路具有单片集成构造的驱动电路(TR)和单片集成构造的控制电路(ST)，所述控制电路驱控所述驱动电路(TR)；

与所述驱动电路(TR)导电连接的用于驱控所述功率半导体开关(T)的输出驱控端子(AS)，其中，所述输出驱控端子(AS)被设置成用于经由电流路径(SP)与所述功率半导体开关(T)的控制端子(G)导电连接，其中，所述驱控装置(1)具有恰好这一个输出驱控端子(AS)用来驱控所述功率半导体开关(T)，其中，所述驱动电路(TR)被构造成用于在所述输出驱控端子(AS)处产生用于接通和关断所述功率半导体开关(T)的驱控电压(Ua)，其中，所述驱控电压(Ua)具有用于接通所述功率半导体开关(T)的第二电压值(Uv2)和用于关断所述功率半导体开关(T)的相对于所述第二电压值(Uv2)更低的第一电压值(Uv1)；

为了接收用于接通所述功率半导体开关(T)的接通指令(EB)并为了接收用于关断所述功率半导体开关(T)的关断指令(AB)而与所述控制电路(ST)导电连接的开关信号输入端子(SE)；以及

为了接收至少一个运行状态信号(Uce、Udc、I、TS)与所述控制电路(ST)导电连接的至少一个运行状态输入端子(BS)；

其中，当所述输出驱控端子(AS)经由所述电流路径(SP)与所述功率半导体开关(T)的控制端子(G)导电连接时，所述控制电路(ST)被构造成用于在接收到关断指令(AB)时驱控所述驱动电路(TR)，使得所述驱动电路将所述驱控电压(Ua)从所述第二电压值(Uv2)降低到所述第一电压值(Uv1)，其中，在此，所述控制电路(ST)驱控所述驱动电路(TR)，使得直到所述驱控电压(Ua)降低到所述第一电压值(Uv1)为止的持续时间(T1、T2)依赖于所述至少一个运行状态信号(Uce、Udc、I、TS)。

2.根据权利要求1所述的驱控装置，其特征在于，为了将所述驱控电压(Ua)从所述第二电压值(Uv2)降低到所述第一电压值(Uv1)，所述驱动电路(TR)具有第一电压源(Q1)、第一半导体开关(T1)、第二半导体开关(T2)和关断电阻(Ra)，其中，所述第一电压源(Q1)与所述第一半导体开关(T1)的第一负载端子导电连接，而所述第一半导体开关(T1)的第二负载端子经由所述关断电阻(Ra)与所述输出驱控端子(AS)导电连接，其中，所述第二半导体开关(T2)与所述关断电阻(Ra)电并联，其中，所述控制电路(ST)被构造成在所述功率半导体开关(T)关断过程中依赖于所述至少一个运行状态信号(Uce、Udc、I、TS)地接通或关断所述第二半导体开关(T2)。

3.根据权利要求1所述的驱控装置，其特征在于，为了将所述驱控电压(Ua)从所述第二电压值(Uv2)降低到所述第一电压值(Uv1)，所述驱动电路(TR)具有第一电流源(S1)和第二电流源(S2)，所述第一电流源和第二电流源彼此电并联并且与所述输出驱控端子(AS)导电连接，其中，所述控制电路(ST)被构造成在所述功率半导体开关(T)关断过程中依赖于所述至少一个运行状态信号(Uce、Udc、I、TS)地接通或关断所述第一电流源(S1)和/或所述第二电流源(S2)。

4.根据权利要求3所述的驱控装置，其特征在于，所述第一电流源(S1)被构造成产生比所述第二电流源(S2)更高的电流。

5.根据权利要求1所述的驱控装置，其特征在于，为了将所述驱控电压(Ua)从所述第二电压值(Uv2)降低到所述第一电压值(Uv1)，所述驱动电路(TR)具有第一电压源(Q1)及第一MOSFET(M1)和第二MOSFET(M2)，其中，所述第一MOSFET(M1)和第二MOSFET(M2)的第一负载电流端子与所述第一电压源(Q1)导电连接，而所述第一MOSFET(M1)和第二MOSFET(M2)的第二负载电流端子与所述输出驱控端子(AS)导电连接，其中，所述控制电路(ST)被构造成在所述功率半导体开关(T)的关断过程中依赖于所述至少一个运行状态信号(Uce、Udc、I、TS)地接通或关断所述第一MOSFET(M1)和/或所述第二MOSFET(M2)。