[发明专利]一种自适应偏振衰落抑制的特高压直流控制保护系统OTDR装置

权利要求书

1.一种自适应偏振衰落抑制的特高压直流控制保护系统OTDR装置，其特征在于，包括特高压直流控制保护系统用特种脉冲激光器、偏振控制器、偏振分束器、第一、二耦合器、延时光纤、第一、二传感光纤、第一～三光电探测器、信号处理模块和FPGA单元；所述第一耦合器包括一个输入端和第一～三输出端，所述第二耦合器包括第一、二输入端和第一、二输出端，所述信号处理模块包括第一、二输入端和一个输出端，所述FPGA单元包括第一、二输入端和一个输出端，所述偏振分束器包括一个输入端和第一、二输出端；所述脉冲激光器的波长为660nm、808nm和940nm；

所述第一耦合器的输入端与脉冲激光器连接；所述第一耦合器的第一输出端通过第三光电探测器与FPGA单元的第一输入端连接；第一耦合器的第二输出端依次通过第一传感光纤、偏振控制器与第二耦合器的第一输入端连接；所述第一耦合器的第三输出端与第二耦合器的第二输入端连接；所述第二耦合器的第一输出端连接第二传感光纤，第二输出端连接偏振分束器的输入端；所述偏振分束器的第一输出端通过第一光电探测器与信号处理模块的第一输入端连接，第二输出端通过第二光电探测器与信号处理模块的第二输入端连接，所述信号处理模块的输出端与FPGA单元的第二输入端连接，所述FPGA单元的输出端通过延时光纤与偏振控制器连接。

2.根据权利要求1所述的一种自适应偏振衰落抑制的特高压直流控制保护系统OTDR装置，其特征在于，所述的第一、二传感光纤的折射率相同。

3.根据权利要求1所述的一种自适应偏振衰落抑制的特高压直流控制保护系统OTDR装置，其特征在于，所述的第一、二耦合器为3dB耦合器。

4.根据权利要求1所述的一种自适应偏振衰落抑制的特高压直流控制保护系统OTDR装置，其特征在于，所述的脉冲激光器为SLD激光器。

5.根据权利要求1所述的一种自适应偏振衰落抑制的特高压直流控制保护系统OTDR装置，其特征在于，采用高性能FPGA单元做为闭环控制中心。