[发明专利]补偿初级FD-SOI装置的方法以及自优化电路

权利要求书

1.一种自优化电路，用于具有掩埋氧化物层和设置在所述掩埋氧化物层下方的初级阱的初级全耗尽型绝缘体上硅FD-SOI装置，所述自优化电路包括：

静态偏置电路，被配置为提供第一偏置；

总电离剂量TID剂量计，包括剂量计FD-SOI装置，其中，所述TID剂量计被配置为生成表示所述初级FD-SOI装置中的参数偏移的剂量计电压；

参考电路，被配置为提供参考电压；

放大器，连接至所述TID剂量计和所述参考电路，其中，所述放大器被配置为在所述静态偏置电路的输出处提供第二偏置，并且其中，所述第二偏置与所述剂量计电压和所述参考电压之间的差成比例；

电压源，被配置为产生所述第一偏置和所述第二偏置参考的驱动电压；和

反馈电路，被配置为基于所述第一偏置和所述第二偏置的组合来调节施加到所述剂量计FD-SOI装置的阱的驱动电压的供应。

2.根据权利要求1所述的自优化电路，其中，所述放大器是运算跨导放大器。

3.根据权利要求1所述的自优化电路，其中，所述反馈电路包括低压差LDO稳压器，所述LDO稳压器被配置为基于所述第一偏置和所述第二偏置的组合来调节施加至所述剂量计FD-SOI装置的所述阱的驱动电压。

4.根据权利要求3所述的自优化电路，其中，所述静态偏置电路包括放大器，所述放大器被配置为基于由参考电压和所述LDO稳压器的反馈提供的差分输入来提供所述第一偏置。

5.根据权利要求1所述的自优化电路，其中，所述反馈电路还被配置为调节施加到所述初级FD-SOI装置的所述初级阱的驱动电压。

6.根据权利要求1所述的自优化电路，其中，所述参考电路和所述TID剂量计以桥配置方式联接。

7.根据权利要求6所述的自优化电路，其中，所述参考电路包括与所述剂量计FD-SOI装置相对的校准电阻器。

8.根据权利要求6所述的自优化电路，其中，所述TID剂量计包括运算放大器，所述运算放大器被配置为：

放大所述剂量计电压和所述参考电压之间的差；和

提供对所述TID剂量计和所述参考电路所经历的电源电压变化的抑制。

9.根据权利要求1所述的自优化电路，其中，所述电压源包括由时钟操作的电荷泵。

10.根据权利要求1所述的自优化电路，其中，所述电压源包括电平偏移伺服驱动器。

11.根据权利要求1所述的自优化电路，还包括在所述剂量计FD-SOI装置的阱与所述初级FD-SOI装置的所述初级阱之间的连接，其中，所述连接被配置为将施加到所述剂量计FD-SOI装置的阱的驱动电压与施加到所述初级FD-SOI装置的所述初级阱的驱动电压连结。

12.根据权利要求1所述的自优化电路，还包括：开关，所述开关连接于所述剂量计FD-SOI装置的所述阱与所述初级FD-SOI装置的所述初级阱之间，其中，所述开关被配置为提供连接以将施加在所述剂量计FD-SOI装置的所述阱的驱动电压和施加在所述初级FD-SOI装置的所述初级阱的驱动电压连结。