[发明专利]一种离子阱在审
| 申请号： | 202010645038.X | 申请日： | 2020-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN113921162A | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 段路明;梅全鑫 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G21K1/00 | 分类号： | G21K1/00;G06N10/00 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 蒋冬梅;栗若木 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 离子 | ||
1.一种离子阱，包括：两个射频RF单元，各RF单元包括：一个第一RF电极和一个第二RF电极；其中，
两个第一RF电极分别用于根据施加于自身的第一射频电压，产生对离子量子比特进行径向约束的径向电场；
两个第二RF电极分别根据施加于自身的第二射频电压，产生用于与径向电场进行相互抵消的射频电场；
其中，由所述射频电场与所述径向电场相互抵消，获得的离子阱中心区域的电势分布满足预设分布。
2.根据权利要求1所述的离子阱，其特征在于，所述第二RF电极与所述第一RF电极相互分离。
3.根据权利要求2所述的离子阱，其特征在于，所述离子阱还包括第一电压源，用于：
向所述第二RF电极施加所述第二射频电压；
其中，所述第一射频电压与所述第二射频电压的频率相同、相位相反，且所述第二射频电压的幅值与所述第一射频电压的幅值满足预设的第一幅值比例。
4.根据权利要求1～3任一项所述的离子阱，其特征在于，所述预设分布包括：
不包含二次分布的电势分布。
5.一种离子阱，包括：两个直流DC单元和两个射频RF单元；其中，
各RF单元包括：一个第一RF电极，各第一RF电极分别用于根据施加于自身的第一射频电压，产生对离子量子比特进行径向约束的径向电场；
各DC单元包括：预设数值个DC电极和一个第二RF电极；其中，
DC电极用于：对离子量子比特进行轴向约束；
两个第二RF电极分别根据施加于自身的第二射频电压，产生用于与径向电场进行相互抵消的射频电场；
其中，由所述射频电场与所述径向电场相互抵消，获得的离子阱中心区域的电势分布满足预设分布。
6.根据权利要求5所述的离子阱，其特征在于，所述第二RF电极与所述DC单元中的各DC电极相互分离。
7.根据权利要求5所述的离子阱，其特征在于，所述离子阱还包括第二电压源，用于向第二RF电极施加所述第二射频电压；
其中，所述第一射频电压与所述第二射频电压的频率相同、相位相同，且所述第二射频电压的幅值与所述第一射频电压的幅值满足预设的第二幅值比例。
8.根据权利要求5～7任一项所述的离子阱，其特征在于，所述预设分布包括：
不包含二次分布的电势分布。
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