[发明专利]探测材料热膨胀系数的传感装置及系统在审
| 申请号： | 202010645323.1 | 申请日： | 2020-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN111751402A | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 中山科立特光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N25/16 | 分类号： | G01N25/16;G01B11/16 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 528458 广东省中山市火炬开发区中心城区港义*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 探测 材料 热膨胀 系数 传感 装置 系统 | ||
1.一种探测材料热膨胀系数的传感装置，其特征在于，所述传感装置包括：基底层、金属层、第一测量端和第二测量端；所述金属层设置在所述基底层的一侧，所述第一测量端和所述第二测量端相对平行的设置在所述金属层远离所述基底层的一侧，且所述第一测量端包括第一磁性材料层、第一热膨胀材料层和第一金属膜，所述第一磁性材料层设置在所述金属层远离所述基底层的一侧，所述第一热膨胀材料层设置在所述第一磁性材料层远离所述基底的一侧，所述第一金属膜设置在所述第一热膨胀材料层远离所述基底的一侧，所述第一磁性材料层设置在所述金属层远离所述基底层的一侧，所述第二测量端包括第二磁性材料层和第二金属膜，所述第二磁性材料层设置在所述金属层远离所述基底层的一侧，所述第二金属膜设置在所述第二磁性材料层远离所述基底层的一侧。
2.根据权利要求1所述的探测材料热膨胀系数的传感装置，其特征在于，所述传感装置还包括第二热膨胀材料层，所述第二热膨胀材料层设置在所述第二磁性材料层和第二金属膜之间，且所述第二热膨胀材料层与所述第一热膨胀材料层的热膨胀材料不同。
3.根据权利要求1所述的探测材料热膨胀系数的传感装置，其特征在于，所述传感装置还包括第二热膨胀材料层，所述第二热膨胀材料层设置在金属层远离所述基底层的一侧，且处于所述第一测量端和所述第二测量端之间。
4.根据权利要求1所述的探测材料热膨胀系数的传感装置，其特征在于，所述第一金属膜和所述第二金属膜的材料均为贵金属材料。
5.根据权利要求1所述的探测材料热膨胀系数的传感装置，其特征在于，所述第一金属膜和所述第二金属膜均为600*600纳米阵列结构。
6.根据权利要求1所述的探测材料热膨胀系数的传感装置，其特征在于，所述第一金属膜和所述第二金属膜的长为300纳米，宽为100纳米，高为40nm。
7.根据权利要求1所述的探测材料热膨胀系数的传感装置，其特征在于，所述金属层的材料为贵金属材料。
8.一种探测材料热膨胀系数的传感系统，其特征在于，所述系统包括：磁场发生装置、光源、光谱仪和权利要求1-7任意一项所述的传感装置，所述光源用于照射所述传感装置的第一金属膜和第二金属膜，所述磁场发生装置设置在所述传感装置周围，用于给所述传感装置提供可变磁场，所述光谱仪用于检测该传感装置出射光的光谱。
9.根据权利要求8所述的探测材料热膨胀系数的传感系统，其特征在于，所述光源为手性光源。
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