[发明专利]一种晶硅电池LeTID的测试方法及装置

权利要求书

1.一种晶硅电池LeTID的测试方法，其特征在于，包括：

测量待测电池的发电性能，得到原始发电参数；

将所述待测电池置于第一温度的保护性气氛中进行暗退火，并在每个相距第一时间间隔的时间点测量所述待测电池的发电性能，得到多个与所述时间点一一对应的进程发电参数，每次得到所述进程发电参数后，判断所述进程发电参数是否随时间经过而升高；

当所述进程发电参数随时间经过而升高时，停止暗退火，并确定所述进程发电参数中的最小值，作为最小发电参数；

根据所述原始发电参数及所述最小发电参数，得到所述待测电池的LeTID性能；

所述判断所述进程发电参数是否随时间经过而升高包括：

将每一次新得到的进程发电参数与与其相邻的上一个进程发电参数的差值，作为升降准值；

判断所述升降准值是否大于0；

相应地，所述当所述进程发电参数随时间经过而升高时，停止暗退火包括：

当出现大于0的所述升降准值时，停止暗退火；

所述当出现大于0的所述升降准值时，停止暗退火包括：

当连续出现两个大于0的所述升降准值时，停止暗退火。

2.如权利要求1所述的晶硅电池LeTID的测试方法，其特征在于，所述第一温度的范围为150摄氏度至250摄氏度，包括端点值。

3.如权利要求1所述的晶硅电池LeTID的测试方法，其特征在于，所述保护性气氛为真空或惰性气体氛围。

4.如权利要求3所述的晶硅电池LeTID的测试方法，其特征在于，所述惰性气体氛围为氮气氛围、氩气氛围及氦气氛围中的至少一种。

5.如权利要求1所述的晶硅电池LeTID的测试方法，其特征在于，所述第一时间间隔的范围为10分钟至60分钟，包括端点值。

6.如权利要求1所述的晶硅电池LeTID的测试方法，其特征在于，所述原始发电参数及所述进程发电参数为效率参数或功率参数；

相应的，所述待测电池的LeTID性能为所述待测电池的效率损失或功率损失。

7.如权利要求1至6任一项所述的晶硅电池LeTID的测试方法，其特征在于，所述待测电池的发电性能在IEC61215标准下进行测量。

8.一种晶硅电池LeTID的测试装置，其特征在于，所述晶硅电池LeTID的测试装置为通过如权利要求1至7任一项所述的晶硅电池LeTID的测试方法测试待测电池的LeTID性能的装置。