[发明专利]一种介质滤波器在审
申请号: | 202010645522.2 | 申请日: | 2020-07-06 |
公开(公告)号: | CN111883886A | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
发明(设计)人: | 刘文;朱晖 | 申请(专利权)人: | 武汉凡谷电子技术股份有限公司 |
主分类号: | H01P1/20 | 分类号: | H01P1/20 |
代理公司: | 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 | 代理人: | 黄行军 |
地址: | 430020 湖北省武汉市江夏区光*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 介质 滤波器 | ||
1.一种介质滤波器,其特征在于,至少包括两个介质谐振器,每个介质谐振器包括由固态介电材料制成的本体和位于本体表面的调试孔,所述调试孔为盲孔,用于调试其所在的介质谐振器谐振频率;于该两个介质谐振器之间设置有凹陷区域实现高频抑制,该凹陷区域包括一底面,该底面低于本体表面;所述本体上至少一个负耦合孔,该负耦合孔设置在所述凹陷区域所对应的范围内,且该负耦合孔的横截面积小于凹陷区域的面积,所述负耦合孔为盲孔,所述盲孔与凹陷区域的深度之和小于所述本体的厚度大于所述调试孔的深度,所述负耦合孔用于实现所述两个介质谐振器之间的电容耦合。
2.根据权利要求1所述的介质滤波器,其特征在于:所述凹陷区域设置成槽状,该凹陷区域和本体的外表面覆盖有导电层。
3.根据权利要求1所述的介质滤波器,其特征在于:所述负耦合孔由所述凹陷区域的底面向所述本体内延伸。
4.根据权利要求1所述的介质滤波器,其特征在于:所述负耦合孔由所述本体的表面相对的另一面向所述凹陷区域的底面延伸。
5.根据权利要求3或4所述的介质滤波器,其特征在于:所述凹陷区域凹陷缺失部分的体积大于所述负耦合孔的体积。
6.根据权利要求1所述的介质滤波器,其特征在于:所述介质滤波器包括第一介质谐振器、第二介质谐振器、第三介质谐振器和第四介质谐振器,其中第一介质谐振器和第二介质谐振器之间、第二介质谐振器和第三介质谐振器之间以及第三介质谐振器和第四介质谐振器之间还是设有正耦合槽,该正耦合槽为盲槽,所述第一介质谐振器和第四介质谐振器之间为所述负耦合孔。
7.根据权利要求6所述的介质滤波器,其特征在于:所述凹陷区域侧边的本体为该凹陷区域的侧墙,在水平方向上该凹陷区域的一端向所述正耦合槽延伸,另一端向远离正耦合槽的方向延伸。
8.根据权利要求7所述的介质滤波器,其特征在于:在水平方向上所述凹陷区域的中线与两个调试孔间距的中点重合、所述负耦合孔的中线与凹陷区域的中线重合、所述负耦合孔与两个所述调试孔的中线在同一直线上。
9.根据权利要求7所述的介质滤波器,其特征在于:所述调试孔或负耦合孔的形状为方形、圆形或任意形状。
10.根据权利要求1所述的介质滤波器,其特征在于:所述凹陷区域环绕所述负耦合孔所在的区域。
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