[发明专利]一种晶圆表面膜层沉积装置、沉积方法和半导体器件

权利要求书

1.一种晶圆表面膜层沉积装置，其特征在于，该装置包括：

由至少两个进气气路组成的进气单元；

与进气单元连接的喷射单元，用于根据每个进气气路的通气流量，分别将反应物喷射至与每个进气气路相对应的晶圆表面上的区域；

其中，所述晶圆表面上的区域包括：以晶圆中心为圆心的圆形区域和至少一个圆环形区域，每个区域对应一个进气气路。

2.根据权利要求1所述的晶圆表面膜层沉积装置，其特征在于，该装置包括：

两个进气气路；

与两个进气气路连接的喷射单元，用于根据第一个进气气路和第二个进气气路的通气流量，分别将反应物喷射至与每个进气气路相对应的晶圆表面上的区域；

其中，所述晶圆表面上的区域包括：以晶圆中心为圆心的圆形区域和与所述圆形区域邻接的圆环形区域；第一个进气气路对应所述圆形区域，第二个进气气路对应所述圆环形区域。

3.根据权利要求1所述的晶圆表面膜层沉积装置，其特征在于，该装置包括：

三个进气气路；晶圆表面根据进气气路的数量划分为，以晶圆中心为圆心的中心圆形区域、中间环形区域和边缘圆环形区域，每个区域对应一个进气气路；

与三个进气气路连接的喷射单元，用于根据第一个进气气路、第二个进气气路和第三个进气气路的通气流量，分别将反应物喷射至与每个进气气路相对应的晶圆表面上的区域；

其中，所述晶圆表面上的区域包括：以晶圆中心为圆心的中心圆形区域、中间环形区域和边缘圆环形区域；第一个进气气路对应所述圆形区域，第二个进气气路对应所述中间环形区域，第三个进气气路对应所述边缘圆环形区域。

4.根据权利要求1至3任一项所述的晶圆表面膜层沉积装置，其特征在于，该装置还包括：设置在每组进气气路上的控制单元，用于调节进气气路的通气流量。

5.根据权利要求1至3任一项所述的晶圆表面膜层沉积装置，其特征在于，所述喷射单元包括：圆盘形结构；

所述圆盘型结构内设有多个气腔，每个气腔通过圆盘形结构上表面的连接口与一个进气气路连通；

每个气腔与所述圆盘型结构的下表面设有的多个喷口连通。

6.根据权利要求5所述的晶圆表面膜层沉积装置，其特征在于，所述喷口呈阵列方式排布在所述圆盘形结构的下表面；或，

所述喷口分别在与晶圆表面的中心区域、中间区域和边缘区域相对应的圆盘形结构下表面的区域范围内呈阵列方式排布。

7.根据权利要求1所述的晶圆表面膜层沉积装置，其特征在于，所述反应物为正硅酸乙酯TEOS。

8.根据权利要求1所述的晶圆表面膜层沉积装置，其特征在于，该装置还包括：沉积室和沉积室内用于固定所述晶圆的支撑台；

所述沉积室上设有等离子源和射频设备。

9.根据权利要求1所述的晶圆表面膜层沉积装置，其特征在于，该装置为等离子体化学气相沉积装置。

10.一种晶圆表面膜层沉积方法，其特征在于，该方法的步骤包括：

提供晶圆；

采用至少两个进气气路通入气态的反应物；

根据每个进气气路的通气流量，分别将反应物朝向与每个进气气路相对应的晶圆表面上的区域，沉积于所述晶圆表面；

其中，所述晶圆表面上的区域包括：以晶圆中心为圆心的圆形区域和至少一个圆环形区域，每个区域对应一个进气气路。