[发明专利]一种硅晶圆的激光隐切工艺及切割装置

说明书

本发明涉及一种硅晶圆的激光隐切工艺，包括切割预制，切割作业及扩片作业等三个步骤。所使用的硅晶圆的激光隐切装置包括定位基架、工作台、定位槽、夹具、直线驱动导轨、三轴位移台、三维转台、承载台、激光标线仪、激光切割装置、升降驱动机构、温度传感器、压力传感器、位移传感器及驱动电路。本发明一方面加工工艺简单易掌握、且规范性，可有效提高硅晶圆加工作业工作效率和精度；另一方面在加工作业设备结构简单，运行自动化程度及作业精度高，并有效的克服了传统工艺及设备硅晶圆加工中严重物料浪费及硅晶圆加工中产生微裂纹及崩边的弊端，从而极大的提高了硅晶圆产品加工作业的精度和加工效率，并有助于降低降低成本。

技术领域

本发明涉及一种硅晶圆切割工艺及设备，属激光微加工领域。

背景技术

目前在进行硅晶圆加工制备作业中，所采用的传统加工工艺往往均是通过激光或金刚石刀轮首先对晶棒进行裁切，然后通过金刚石刀轮对切割后的晶圆毛坯件进行研磨，从而得到成品硅晶圆产品，虽然传统的加工工艺可以满足使用的需要，但一方面导致硅晶圆加工中物料损耗严重，且加工工艺复杂，加工效率低下；另一方面直接通过金刚石刀轮在对硅晶圆加工中，直接与晶棒及晶圆毛坯件表面接触，从而导致硅晶圆微裂纹及崩边现象严重，同时由于刀轮的 V 型或者 U 型结构，由于刀轮自身结构限制而无法切割 20 微米以下的超窄切割道的硅片，从而严重限制了硅晶圆切割加工作业的精度，难以有效满足使用的需要。

因此针对这一现状，需要开发一种全新的以克服传统工艺及设备在进行硅晶圆切割中的缺陷，提高硅晶圆加工作业的工作效率和精度。

发明内容

针对现有技术上存在的不足，本发明提供一种全新的一种硅晶圆的激光隐切工艺及切割装置，以克服传统工艺及设备在进行硅晶圆切割中的缺陷，提高硅晶圆加工作业的工作效率和精度。为了实现上述目的，本发明是通过如下的技术方案来实现：

一种硅晶圆的激光隐切工艺，包括以下步骤：

S1，切割预制，首先将待切割硅晶圆通过定位机构安装定位，并使待切割硅晶圆与水平面平行分布，然后根据切割作业需要，设定待切割硅晶圆的切割路径并沿着切割路径设定若干爆裂点位置，然后对待切割硅晶圆的切割作业面上对切割路径及爆裂点进行激光标记，同时对待切割硅晶圆的切割作业面持续进行温度采集作业；

S2，切割作业，根据S1步骤设定的切割路径和爆裂点位置，首先调整激光切割器激光光束的偏振比、激光波长及激光器功率值，然后根据设定后的参数使激光切割器激光光束沿S1步骤设定的切割路径和爆裂点位置进行切割作业，在切割过程中，激光切割器激光光束光轴与待切割硅晶圆上端面垂直分布，并根据待切割硅晶圆的切割作业面温度变化对待切割硅晶圆侧表面及下表面进行强制降温作业，使待切割硅晶圆的切割作业面温度不大室温10℃，完成切割作业后激光切割器待机并保持待切割硅晶圆加持定位状态不变；

S3，扩片作业，完成S2步骤切割作业后，对切割路径两侧位置的硅晶圆同时施加大小相同、方向相反的驱动作用力，从而实现对切割后的硅晶圆进行扩片作业，然后对扩片后的硅晶圆的切割面及外表面同时进行净化处理，即可得到成品切割后的硅晶圆产品。

进一步的，所述的S1步骤中，设定的爆裂点间间距为1—20μm，大小为1—10μm，深度为待切割硅晶圆厚度的20%—80%，此外，所述爆裂点的纵向长度为待切割硅晶圆厚度的10%—20%，。

进一步的，所述的S1步骤中，在对待切割硅晶圆通过定位机构安装定位时，待切割硅晶圆下端面粘贴一层蓝膜。

进一步的，所述的蓝膜轴向截面呈“凵”字形并与待切割硅晶圆同轴分布的槽状结构，且蓝膜深度不大于待切割硅晶圆厚度的1/3。

进一步的，所述的S2步骤中，激光切割器激光光束偏振比不小于50:1，波长不小于1000nm，爆裂点位置处能量值为0.1—100μj，激光光束宽度不大于10 nm。