[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

第一堆叠件组，其包括交替且重复地堆叠在衬底上的第一层间绝缘层和第一栅极层；

第二堆叠件组，其包括交替且重复地堆叠在所述第一堆叠件组上的第二层间绝缘层和第二栅极层；

分离结构，其穿过所述第一堆叠件组和所述第二堆叠件组，并在与所述衬底的上表面平行的第一方向上彼此间隔开，所述分离结构中的每一个包括第一分离区域和第二分离区域，所述第二分离区域在作为所述衬底的厚度方向的第二方向上设置在所述第一分离区域上；

竖直结构，其穿过所述第一堆叠件组和所述第二堆叠件组，并在所述第一方向上设置在所述分离结构之间，所述竖直结构包括第一竖直区域和在所述第二方向上设置在所述第一竖直区域上的第二竖直区域；以及

导电线，其电连接到所述第二堆叠件组上的竖直结构，

其中，所述第一竖直区域包括与所述第二竖直区域相邻的第一上竖直区域和与所述衬底相邻的第一下竖直区域，

其中，所述第二竖直区域包括第二下竖直区域和第二上竖直区域，所述第二下竖直区域与所述第一竖直区域相邻，并且所述第二下竖直区域的宽度小于所述第一上竖直区域的宽度，所述第二上竖直区域与所述导电线相邻，

其中，所述第一分离区域包括与所述第二分离区域相邻的第一上分离区域和与所述衬底相邻的第一下分离区域，

其中，所述第二分离区域包括第二下分离区域和第二上分离区域，所述第二下分离区域与所述第一分离区域相邻，并且所述第二下分离区域的宽度小于所述第一上分离区域的宽度，所述第二上分离区域与所述导电线相邻，并且

其中，所述第一竖直区域的上端与所述衬底的上表面之间的距离大于所述第一分离区域的上端与所述衬底的上表面之间的距离。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：

所述竖直结构包括第一弯曲部分，所述第一弯曲部分通过所述第一上竖直区域的宽度和所述第二下竖直区域的宽度之差形成；并且

所述分离结构中的每一个包括第二弯曲部分，所述第二弯曲部分通过所述第一上分离区域的宽度和所述第二下分离区域的宽度之差形成。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：

所述第一下竖直区域的宽度小于所述第一上竖直区域的宽度；并且

所述第二下竖直区域的宽度小于所述第二上竖直区域的宽度。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：

所述第一下分离区域的宽度小于所述第一上分离区域的宽度，并且

所述第二下分离区域的宽度小于所述第二上分离区域的宽度。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一分离区域和所述第二分离区域中的每一个以及所述第一竖直区域和所述第二竖直区域中的每一个包括朝向所述衬底变窄的倾斜的侧表面。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

上层间绝缘层，其设置在所述第二堆叠件组上，

其中，所述分离结构在所述第二方向上延伸穿过所述第二堆叠件组和所述上层间绝缘层，并且

所述第二分离区域在所述第二方向上的长度大于所述第二竖直区域在所述第二方向上的长度。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：

所述第一堆叠件组包括所述第一栅极层之中的设置在最上位置中的第一最上栅极层，并且所述第二堆叠件组包括所述第二栅极层之中的设置在最下位置中的第二最下栅极层，

其中，所述第一下竖直区域的上端与所述第一最上栅极层间隔开第一距离，并且所述第一下分离区域的上端与所述第一最上栅极层间隔开小于所述第一距离的第二距离。