[发明专利]一体化瓦片有源相控阵天线有效
申请号: | 202010649428.4 | 申请日: | 2020-07-08 |
公开(公告)号: | CN111541001B | 公开(公告)日: | 2020-09-29 |
发明(设计)人: | 薛伟;周沛翰;符博;冯琳;丁卓富 | 申请(专利权)人: | 成都雷电微力科技股份有限公司 |
主分类号: | H01Q1/00 | 分类号: | H01Q1/00;H01Q1/42;H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q21/00 |
代理公司: | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人: | 封浪 |
地址: | 610041 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一体化 瓦片 有源 相控阵 天线 | ||
1.一种一体化瓦片有源相控阵天线,其特征在于,包括逐层设置的阵列天线层(1)、散热腔体(2)、射频层(3)、转阶层(4)、电源与控制层(5)和盖板层(6);所述散热腔体(2)包括腔体板(21),所述腔体板(21)靠近所述阵列天线层(1),所述散热腔体(2)的开口远离所述阵列天线层(1),所述盖板层(6)密封所述散热腔体(2)的开口,所述射频层(3)、转阶层(4)和电源与控制层(5)均设置于所述散热腔体(2)中;
所述射频层(3)靠转阶层(4)一侧开设有若干第一开槽,所述第一开槽内至少设置有第一射频芯片(32);
所述电源与控制层(5)靠转阶层(4)一侧开设有若干第二开槽,所述第二开槽内至少设置有第二射频芯片(54);所述电源与控制层(5)靠盖板层(6)一侧设置有控制器件(52),用于电源和信号控制;
所述转阶层(4)用于所述射频层(3)和所述电源与控制层(5)间的射频信号过渡和射频隔离;
所述阵列天线层(1)通过散热腔体(2)的腔体板(21)上设置的第一射频连接结构实现与射频层(3)的电连接;所述射频层(3)通过转阶层(4)上设置的第二射频连接结构实现与电源与控制层(5)的电连接;所述盖板层(6)与所述电源与控制层(5)电连接。
2.如权利要求1所述的一体化瓦片有源相控阵天线,其特征在于,所述转阶层(4)两侧对应于各第一开槽和/或第二开槽之处,开设有第三开槽。
3.如权利要求1所述的一体化瓦片有源相控阵天线,其特征在于,所述盖板层(6)上设置有连接器插针(62)和射频连接器(63);所述电源与控制层(5)上还设置有连接器插座(53);所述射频连接器(63)电连接所述电源与控制层(5),所述连接器插针(62)与所述连接器插座(53)互联。
4.如权利要求1所述的一体化瓦片有源相控阵天线,其特征在于,所述阵列天线层(1)远离所述散热腔体(2)的一侧阵列式设置有若干单元天线(11),对应于各单元天线(11),贯穿所述阵列天线层(1)设置有与各单元天线(11)一一对应的射频馈电(13)。
5.如权利要求1所述的一体化瓦片有源相控阵天线,其特征在于,所述第一射频连接结构和第二射频连接结构均为毛纽扣过渡结构。
6.如权利要求1所述的一体化瓦片有源相控阵天线,其特征在于,所述散热腔体(2)的层内设置有散热结构。
7.如权利要求6所述的一体化瓦片有源相控阵天线,其特征在于,所述散热腔体(2)内的散热结构为第一微流道(22)。
8.如权利要求1所述的一体化瓦片有源相控阵天线,其特征在于,所述射频层(3)和/或所述电源与控制层(5)中,设置有散热子层,对应于各所述第一射频芯片(32)和/或第二射频芯片(54)之处,设置有金属铜柱,所述射频子层(3)中的金属铜柱的两端分别接触对应的所述第一射频芯片(32)和散热子层,所述电源与控制层(5)中的金属铜柱的两端分别接触对应的所述第二射频芯片(54)和散热子层;所述金属铜柱通过散热子层将热量传导到散热腔体(2)。
9.如权利要求1所述的一体化瓦片有源相控阵天线,其特征在于,所述射频层(3)和/或所述电源与控制层(5)中设置有第二微流道或导热硅脂。
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