[发明专利]有机发光显示装置在审
申请号: | 202010650298.6 | 申请日: | 2020-07-08 |
公开(公告)号: | CN112234080A | 公开(公告)日: | 2021-01-15 |
发明(设计)人: | 郭喜荣;李五荣 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 蔡洪贵 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 | ||
1.一种有机发光显示装置,包括:
具有子像素区域和焊盘区域的基板;
在所述子像素区域中位于所述基板上的遮光层;
在所述子像素区域中位于所述遮光层上的薄膜晶体管;
在所述子像素区域中且被连接到所述薄膜晶体管的发光二极管;
在所述焊盘区域中的下焊盘电极;
覆盖所述下焊盘电极以暴露所述下焊盘电极的一部分的第一绝缘层;
在所述第一绝缘层上且被连接到所述下焊盘电极的上焊盘电极;和
在所述第一绝缘层和所述上焊盘电极之间的第二绝缘层,所述第二绝缘层与所述上焊盘电极重叠,使得所述第二绝缘层的端部与所述上焊盘电极的端部重合。
2.根据权利要求1所述的装置,其中,所述下焊盘电极具有与所述遮光层相同的层叠结构。
3.根据权利要求2所述的装置,其中,所述下焊盘电极和所述遮光层包括第一金属层和在所述第一金属层上的第二金属层。
4.根据权利要求3所述的装置,其中,所述第一金属层和所述第二金属层中的每一个包括选自由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)组成的组中的一种或多种的合金。
5.根据权利要求4所述的装置,其中,所述第一金属层包括钼钛(MoTi),所述第二金属层包括铜(Cu)。
6.根据权利要求1所述的装置,其中,所述第一绝缘层包括至少一个缓冲层,所述第二绝缘层包括栅极绝缘层。
7.根据权利要求1所述的装置,其中,所述薄膜晶体管包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极。
8.根据权利要求7所述的装置,其中,所述栅电极、所述源电极和所述漏电极中的每一个具有包括第一栅极层和第二栅极层的双层以及包括第一栅极层、第二栅极层和第三栅极层的三层中的一种。
9.根据权利要求8所述的装置,其中,所述第一栅极层、所述第二栅极层和所述第三栅极层中的每一个包括选自由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)组成的组中的一种或多种的合金。
10.根据权利要求9所述的装置,其中,所述上焊盘电极具有与所述第一栅极层相同的材料。
11.根据权利要求10所述的装置,其中,所述上焊盘电极和所述第一栅极层包括钼钛(MoTi)。
12.根据权利要求7所述的装置,其中,所述栅电极、所述源电极和所述漏电极被设置在所述第二绝缘层上并与所述第二绝缘层接触。
13.根据权利要求1所述的装置,其中,所述发光二极管在所述子像素区域中包括第一电极、有机发射层和第二电极。
14.根据权利要求13所述的装置,其中,所述装置还包括:
暴露所述第一电极的第一堤层;和
在所述第一堤层上并暴露所述第一堤层和所述第一电极的第二堤层。
15.根据权利要求14所述的装置,其中,所述第一堤层具有亲水性,并且所述第二堤层具有疏水性。
16.根据权利要求14所述的装置,其中,所述第一堤层具有用于暴露所述第一电极的第一开口部分,所述第二堤层具有用于暴露所述第一堤层和所述第一电极的第二开口部分,并且所述第二开口部分被布置成沿第一方向彼此平行并沿第二方向延伸,以沿所述第二方向暴露所述第一电极和所述第一开口部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的