[发明专利]包括中介层的半导体封装

说明书

包括中介层的半导体封装。一种半导体封装包括：封装基板，堆叠在封装基板上的下部芯片、中介层和上部芯片，以及将下部芯片电连接到封装基板的接合引线。下部芯片包括：在下部芯片的上表面上彼此间隔开的第一下部芯片焊盘和第二下部芯片焊盘，在下部芯片上表面上接合到接合引线的引线接合焊盘，以及将第二下部芯片焊盘电连接到引线接合焊盘的下部芯片再分配线。中介层包括：中介层的上表面上的上部芯片连接焊盘，中介层的下表面上的下部芯片连接焊盘以及将上部芯片连接焊盘电连接到下部芯片连接焊盘的通孔电极。

技术领域

本公开总体上涉及一种半导体封装，并且更具体地，涉及一种具有中介层(interposer)的半导体封装。

背景技术

通常，半导体封装被配置为包括基板和安装在基板上的半导体芯片。半导体芯片可以通过诸如凸块(bump)或布线的连接构件电连接至基板。

近来，根据对半导体封装的高性能和高集成度的需求，已经提出了用于在基板上堆叠多个半导体芯片的半导体封装的各种结构。作为示例，已经提出了使用引线接合(wirebonding)或硅穿孔(TSV)技术将堆叠在基板上的多个半导体芯片彼此电连接的技术。

发明内容

根据一个实施方式，一种半导体封装可以包括：封装基板；下部芯片、中介层和上部芯片，该下部芯片、中介层和上部芯片堆叠在封装基板上；以及接合引线，该接合引线将下部芯片电连接到封装基板。下部芯片可以包括：第一下部芯片焊盘和第二下部芯片焊盘，该第一下部芯片焊盘和第二下部芯片焊盘在下部芯片的上表面上彼此间隔开，并且通过下部芯片的内部布线彼此电连接；引线接合焊盘，该引线接合焊盘在下部芯片上表面上接合到接合引线；以及下部芯片再分配线，该下部芯片再分配线将第二下部芯片焊盘电连接到引线接合焊盘。中介层可以包括：上部芯片连接焊盘，该上部芯片连接焊盘在中介层的上表面上电连接到上部芯片；下部芯片连接焊盘，该下部芯片连接焊盘在中介层的下表面上电连接到第一下部芯片焊盘；以及通孔电极，该通孔电极将上部芯片连接焊盘电连接到下部芯片连接焊盘。

根据另一实施方式，一种半导体封装可以包括：封装基板；下部芯片，该下部芯片设置在封装基板上并通过引线接合而电连接到封装基板；中介层，该中介层设置在下部芯片上并包括电连接到下部芯片的通孔电极；以及上部芯片，该上部芯片设置在中介层上并电连接到通孔电极。上部芯片通过中介层和下部芯片电连接到封装基板。

根据又一实施方式，一种半导体封装可以包括：封装基板；第一堆叠结构，该第一堆叠结构设置在封装基板上；第二堆叠结构，该第二堆叠结构设置在第一堆叠结构上；第一接合引线，该第一接合引线将封装基板电连接到第一堆叠结构的第一下部芯片；以及第二接合引线，该第二接合引线将封装基板电连接到第二堆叠结构的第二下部芯片。第一堆叠结构包括第一下部芯片、第一中介层和第一上部芯片，并且第二堆叠结构包括第二下部芯片、第二中介层和第二上部芯片。第一中介层包括将第一下部芯片电连接到第一上部芯片的第一通孔电极，并且第二中介层包括将第二下部芯片电连接到第二上部芯片的第二通孔电极。第一上部芯片通过第一中介层和第一下部芯片电连接到封装基板，并且第二上部芯片通过第二中介层和第二下部芯片电连接到封装基板。

附图说明

图1是示意性地示出根据本公开的一个实施方式的半导体封装的截面图。

图2和图3是示意性地示出根据本公开的实施方式的半导体芯片的平面图。

图4A和图4B是示意性地示出根据本公开的一个实施方式的半导体封装的中介层的图。

图5是示意性地示出根据本公开的一个实施方式的在半导体芯片与封装基板之间交换电信号的方法的示意图。

图6是示意性地示出根据本公开的一个实施方式的半导体封装的内部电路配置的图。

图7是示意性地示出根据本公开的另一实施方式的半导体封装的截面图。

具体实施方式