[发明专利]一种超高温高熵硼化物陶瓷粉体及其制备方法有效
申请号: | 202010650474.6 | 申请日: | 2020-07-08 |
公开(公告)号: | CN111848177B | 公开(公告)日: | 2022-04-08 |
发明(设计)人: | 柳彦博;马壮;张泽;朱时珍;鲁剑啸 | 申请(专利权)人: | 北京理工大学 |
主分类号: | C04B35/58 | 分类号: | C04B35/58;C04B35/626;C04B35/634;C04B35/64 |
代理公司: | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人: | 周蜜;仇蕾安 |
地址: | 100081 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 超高温 高熵硼化物 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
1.一种超高温高熵硼化物陶瓷粉体的制备方法,其特征在于:所述方法步骤如下,
(1)四种以上二硼化物粉体按照金属原子等摩尔比进行配料,并加入水和聚乙烯醇,混合均匀,得到浆料;
(2)利用喷雾干燥造粒塔对浆料进行团聚造粒,并过检验筛,得到粒径不大于70μm的团聚粉体;
(3)利用感应等离子体球化烧结设备对团聚粉体进行高温烧结处理一次以上,得到所述超高温高熵硼化物陶瓷粉体;
感应等离子体球化烧结的参数如下:等离子体功率20kW~30kW;载气流量为5slpm~7slpm;工作气体为氢气和氩气的混合气体,氢气流量为6slpm~7slpm,氩气流量为50slpm~65slpm;反应室压力为8psia~12psia;送粉器转速为6rpm~8rpm;
所述陶瓷粉体为单相六方晶体结构,化学式为(Hf0.2Zr0.2Nb0.2Ti0.2Cr0.2)B2、(Hf0.2Ta0.2Nb0.2Ti0.2Cr0.2)B2或(Hf0.2V0.2Nb0.2Ti0.2Cr0.2)B2。
2.根据权利要求1所述的超高温高熵硼化物陶瓷粉体的制备方法,其特征在于:步骤(1)所述的浆料中,聚乙烯醇的质量分数为0.05%~1%,固含量为20%~60%。
3.根据权利要求1所述的超高温高熵硼化物陶瓷粉体的制备方法,其特征在于:步骤(1)采用球磨方式进行混合制备浆料,球料比为3~6:1,球磨转速为250rpm~350rpm,球磨时间2h~4h。
4.根据权利要求1所述的超高温高熵硼化物陶瓷粉体的制备方法,其特征在于:步骤(1)中,所述二硼化物粉体的纯度不小于99%。
5.根据权利要求1所述的超高温高熵硼化物陶瓷粉体的制备方法,其特征在于:步骤(2)中,喷雾干燥造粒参数为:进口温度为250℃~310℃,出口温度为100℃~120℃,喷头转速为30rpm~35rpm,蠕动泵转速为25rpm~30rpm。
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