[发明专利]FET器件电特性建模方法、系统和存储介质

权利要求书

1.一种FET器件的电特性建模方法，其特征在于，包括以下步骤：

获取所述FET器件的固定参数；

获取所述FET器件的目标电学指标参数；

配置并初始化所述FET器件的变量参数；

根据所述FET器件的固定参数和变量参数构建物理模型；

选择仿真物理模型对所述物理模型进行电学性能仿真，得到仿真电学指标参数；

根据所述目标电学指标参数和仿真电学指标参数修改所述变量参数的数值，直到修改后的所述变量参数对应的物理模型的仿真电学指标参数和所述目标电学指标参数的差的绝对值满足预设条件；

根据修改后的所述变量参数和所述固定参数所构成的物理模型的电学性能仿真结果，得到所述FET器件的电特性模型。

2.根据权利要求1所述的FET器件的电特性建模方法，其特征在于，所述FET器件为制程为14nm的FinFET器件，所述固定参数包括栅极长度、Fin高度、Fin宽度、等效栅氧化层厚度、栅极间隔、源/漏区掺杂浓度、体硅掺杂浓度、沟道掺杂浓度或源漏电阻的至少之一。

3.根据权利要求1所述的FET器件的电特性建模方法，其特征在于，所述电学性能仿真采用Sentaurus TCAD器件仿真软件，所述FET器件的栅极使用金属TiN材料，所述FET器件的栅氧化层使用HfO₂材料。

4.根据权利要求1所述的FET器件的电特性建模方法，其特征在于，所述目标电学指标参数包括饱和电流或电特性转移曲线的至少之一。

5.根据权利要求1所述的FET器件的电特性建模方法，其特征在于，所述仿真物理模型包括量子修正模型、费米模型、硅能带收缩模型、载流子复合模型、电场饱和迁移模型、Philips迁移模型、ThinLayer迁移模型、高k散射模型或Lombardi模型。

6.根据权利要求1所述的FET器件的电特性建模方法，其特征在于，在进行电学性能仿真时采用载流子传输方程为移-扩散方程DriftDiffusion。

7.根据权利要求1所述的FET器件的电特性建模方法，其特征在于，所述变量参数包括源漏垂直扩散深度、源漏横向扩散宽度、金属功函数或固定电荷浓度的至少之一。

8.根据权利要求1所述的FET器件的电特性建模方法，其特征在于，所述电特性模型包括线性情况和饱和情况下的漏致势垒降低效应、亚阈值摆幅、阈值电压、饱和电流和电特性转移曲线的至少之一。

9.一种FET器件电特性建模系统，其特征在于，包括：

存储器，用于存储程序；

处理器，用于加载所述程序以执行如权利要求1-8任一项所述的方法。

10.一种存储介质，其存储有程序，其特征在于，所述程序被处理器执行时实现如权利要求1-8任一项所述的方法。