[发明专利]一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池在审

专利信息
申请号: 202010651720.X 申请日: 2020-07-08
公开(公告)号: CN111834491A 公开(公告)日: 2020-10-27
发明(设计)人: 袁陨来;王建波;朱琛;吕俊 申请(专利权)人: 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L21/268;H01L31/0288
代理公司: 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 代理人: 王胜利
地址: 225300 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 太阳能电池 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括:

提供硅基底和玻璃基板;所述玻璃基板的表面具有掺杂材料层;

将所述玻璃基板覆盖在所述硅基底的上方,所述掺杂材料层位于所述玻璃基板朝向所述硅基底的一侧;

采用激光图案化扫描所述玻璃基板;所述掺杂材料层所含有的掺杂元素在激光的作用下图案化地掺杂在所述硅基底上。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述硅基底的一个面为绒面,所述玻璃基板位于所述绒面的上方。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述玻璃基板可以为钢化玻璃、石英玻璃或有机玻璃中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述掺杂材料层的材质为N型掺杂材料或P型掺杂材料;和/或,

所述掺杂材料层覆盖在所述玻璃基板上。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述掺杂材料层的厚度为50nm~100nm。

6.根据权利要求1~5任一项所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,硅基底为P型基底,所述掺杂材料层的材质为磷硅玻璃,磷的掺杂浓度为3×1020cm-3~5×1020cm-3

7.根据权利要求1~5任一项所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,硅基底为N型基底,所述掺杂材料层的材质为硼硅玻璃,硼的掺杂浓度为1×1020cm-3~2×1020cm-3

8.根据权利要求1~5任一项所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述掺杂材料层为图案化的掺杂材料层;所述掺杂材料层的图案与所述硅基底的图案相同。

9.根据权利要求1~5任一项所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述激光为波长300nm~400nm的纳秒脉冲紫外激光;和/或,

所述硅基底的数量为多个,所述玻璃基板覆盖在所述多个硅基底的上方。

10.一种太阳能电池,其特征在于,所述太阳能电池应用权利要求1~9任一项所述的太阳能电池的制备方法制作。

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