[发明专利]一种接收器架构及接收器集成芯片在审
申请号: | 202010651793.9 | 申请日: | 2020-07-08 |
公开(公告)号: | CN111682870A | 公开(公告)日: | 2020-09-18 |
发明(设计)人: | 陈婷 | 申请(专利权)人: | 湖南国科微电子股份有限公司 |
主分类号: | H03K17/687 | 分类号: | H03K17/687 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 刘翠香 |
地址: | 410131 湖南省长沙市*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 接收器 架构 集成 芯片 | ||
1.一种接收器架构,其特征在于,包括接收器和MOS管,其中:
所述MOS管的第一端连接高压信号输入端、第二端连接所述接收器的输入端、控制端连接低压电源,以隔离所述高压信号端与所述接收器的输入端。
2.根据权利要求1所述接收器架构,其特征在于,所述接收器具体为POP,所述MOS管为PMOS管。
3.根据权利要求2所述接收器架构,其特征在于,所述POP的电源端接3.3V电源,地端接1.8V电源。
4.根据权利要求1所述接收器架构,其特征在于,所述接收器具体为NOP,所述MOS管为NMOS管。
5.根据权利要求4所述接收器架构,其特征在于,所述NOP的电源端接1.8V电源,地端接地。
6.根据权利要求1所述接收器架构,其特征在于,所述接收器具体为双端输入单端输出接收器,包括POP、NOP、电平转换器和反相器,所述MOS管具体包括两个PMOS管和两个NMOS管,其中:
两个所述NMOS管的第一端分别与一对差分信号输入端连接,第二端分别接在所述NOP的正输入端和负输入端;
两个所述PMOS管的第一端分别与一对差分信号输入端连接,第二端分别接在所述POP的正输入端和负输入端;
所述POP的输出端与所述电平转换器的输入端连接;
所述电平转换器的输出端、所述NOP的输出端均与所述反相器的输入端连接。
7.根据权利要求6所述接收器架构,其特征在于,
所述POP的电源端接3.3V电源,地端接1.8V电源;
所述NOP的电源端接1.8V电源,地端接地;
所述电平转换器将1.8~3.3V的电压域转换至0~1.8V。
8.根据权利要求1所述接收器架构,其特征在于,所述接收器具体为单端输入接收器。
9.根据权利要求1至8任一项所述接收器架构,其特征在于,
所述低压电源的电压值具体为所述高压信号端最高电压的一半。
10.一种接收器集成芯片,其特征在于,包括如权利要求1至9任一项所述接收器架构。
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