[发明专利]一种不同写操作下相变存储芯片热稳定性预测方法在审
| 申请号： | 202010651804.3 | 申请日： | 2020-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN111948507A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 刘源广;蔡道林;李阳;崔紫荆;宋志棠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R31/28 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所(普通合伙) 31233 | 代理人： | 钱文斌;黄志达 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 不同 操作 相变 存储 芯片 热稳定性 预测 方法 | ||
1.一种不同写操作下相变存储芯片热稳定性预测方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将存储单元通过写脉冲操作到非晶态；
(2)对所述存储单元进行电学V-I测试，得到所述写脉冲操作电流下的所述存储单元的V-I数据；
(3)根据设定的电流步长调整写脉冲操作电流，并重复步骤(2)，得到不同写脉冲操作下的存储单元V-I数据；
(4)采用数理统计方法对不同写脉冲操作下的存储单元的V-I数据进行处理和分析，实现对所述存储单元的热稳定性进行预测。
2.根据权利要求1所述的不同写操作下相变存储芯片热稳定性预测方法，其特征在于，所述步骤(1)前还包括将所述存储单元操作到晶态的步骤。
3.根据权利要求1所述的不同写操作下相变存储芯片热稳定性预测方法，其特征在于，所述步骤(2)中在进行电学V-I测试前，对所述存储单元进行读电阻测试，得到写脉冲操作电流下的所述存储单元的电阻值。
4.根据权利要求1所述的不同写操作下相变存储芯片热稳定性预测方法，其特征在于，所述步骤(2)中进行电学V-I测试时，施加到所述存储单元的电压低于所述存储单元的阈值电压。
5.根据权利要求1所述的不同写操作下相变存储芯片热稳定性预测方法，其特征在于，所述步骤(3)中根据设定的电流步长调整写脉冲操作电流时，从一个设定的最小电流值逐渐增大到一个设定的最大电流值。
6.根据权利要求1所述的不同写操作下相变存储芯片热稳定性预测方法，其特征在于，所述步骤(4)中采用数理统计方法对不同写脉冲操作下的存储单元的V-I数据进行处理和分析具体为：对V-I数据中的电流数据进行对数化处理，得到V-Log(I)曲线，对得到的V-Log(I)曲线进行拟合，得到在亚阈值区域所需部分曲线的斜率STS值，根据STS值预测所述存储单元的热稳定性。
7.根据权利要求6所述的不同写操作下相变存储芯片热稳定性预测方法，其特征在于，所述对V-I数据中的电流数据进行对数化处理之前，还包括对不同写脉冲操作下的所述存储单元的电阻值进行统计，得到电阻分布变化，并去除未达到非晶态要求的电阻值所对应的V-I数据的步骤。
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