[发明专利]一种锗硅雪崩光电探测器及其制作方法

权利要求书

1.一种锗硅雪崩光电探测器，其特征在于，包括：

埋氧层(4)；

底层(2)，其设于所述埋氧层(4)上，所述底层(2)依次包括由单晶硅多步掺杂而成的本征底层硅区(5)、过渡底层硅区(9)、倍增区(10)、N型重掺杂底层硅区(11)；

本征锗层(1)，其设于所述底层(2)上，且所述本征锗层(1)在所述底层(2)上的投影覆盖部分本征底层硅区(5)、以及部分过渡底层硅区(9)；

覆盖层(3)，其覆盖于所述本征锗层(1)上，所述覆盖层(3)依次包括由多晶硅多步掺杂而成的P型重掺覆盖层硅区(6)、本征覆盖层硅区(7)、过渡覆盖层硅区(8)，所述P型重掺覆盖层硅区(6)远离本征覆盖层硅区(7)的一端与本征底层硅区(5)接触，所述过渡覆盖层硅区(8)远离本征覆盖层硅区(7)的一端与过渡底层硅区(9)接触，以形成电荷过渡区(16)；

P电极(13)，其与所述P型重掺覆盖层 硅区(6)相连；

N电极(15)，其与所述N型重掺杂底层硅区(11)相连；

所述过渡底层硅区(9)和过渡覆盖层硅区(8)的掺杂浓度相同；

所述过渡底层硅区(9)的掺杂浓度小于P型重掺覆盖层硅区(6)的掺杂浓度；

所述本征覆盖层硅区(7)全部位于所述本征锗层(1)的顶部，所述P型重掺覆盖层硅区(6)和过渡覆盖层硅区(8)均部分位于所述本征锗层(1)的顶部，部分位于所述本征锗层(1)的一侧。

2.如权利要求1所述的锗硅雪崩光电探测器，其特征在于：所述P电极(13)通过P极通孔(12)与所述P型重掺覆盖层 硅区(6)相连。

3.如权利要求1所述的锗硅雪崩光电探测器，其特征在于：所述N电极(15)通过N极通孔(14)与所述N型重掺杂底层硅区(11)相连。

4.如权利要求1所述的锗硅雪崩光电探测器，其特征在于：所述本征锗层(1)为梯形结构。

5.一种如权利要求1至4任一项所述的锗硅雪崩光电探测器的制作方法，其特征在于，包括步骤：

通过多次底层掺杂，制作本征底层硅区(5)、过渡底层硅区(9)、倍增区(10)、N型重掺杂底层硅区(11)；

外延锗制作本征锗层(1)；

沉积覆盖硅层；

多次覆盖层硅掺杂，制作P型重掺覆盖层硅区(6)、本征覆盖层硅区(7)、过渡覆盖层硅区(8)；

通过后端金属通孔工艺，将P电极(13)与P型重掺覆盖层硅区(6)连接，并将N电极(15)与N型重掺杂底层硅区(11)连接。