[发明专利]一种常压下锗锡纳米材料的制备方法有效
| 申请号： | 202010652263.6 | 申请日： | 2020-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN111893454B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 马淑芳;楚阳阳;单恒升;魏宇;尚林;席婷;孔庆波;许并社 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | C23C16/02 | 分类号： | C23C16/02;C23C16/06;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223 | 代理人： | 梁静 |
| 地址： | 710021 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 压下 纳米 材料 制备 方法 | ||
1.一种常压下锗锡纳米材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
选取长宽为10mm*10mm的硅片进行清洗：首先用丙酮溶液超声清洗20min，用以去除硅片表面有机物，然后用去离子水冲洗干净；
喷涂铂金：在干燥的硅片表面喷有4nm厚的铂金；
将表面喷有铂金的硅片平置于管式炉内一端，其将喷有铂金的一面朝上；
将0.5g锗粉和0.025g锡粉置于管式炉内另一端，并在此端以200sc·cm气体流量连续通入惰性气体后，将管式炉从室温以5℃/min速率升温至850℃后，保温60min再以5℃/min速率降至室温，即在硅片表面获得锗锡纳米点，其中，连续通入惰性气体的时长直至反应结束。
2.一种常压下锗锡纳米材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
选取长宽为10mm*10mm的硅片进行清洗：首先用丙酮溶液超声清洗20min，用以去除硅片表面有机物，然后用去离子水冲洗干净；
喷涂铋：在干燥的硅片表面喷有4nm厚的铋；
将表面喷有铋的硅片置于圆底瓷舟的一端，其将喷有铋的一面朝上；
将0.25g锗粉和0.025g锡粉置于圆底瓷舟的另一端，然后将圆底瓷舟置于管式炉内，并将装有锗粉和锡粉的一端置于管式炉的中央，同时，在此端以200sc·cm气体流量连续通入惰性气体后，将管式炉从室温以5℃/min速率升温至800℃后，保温50min，再以5℃/min速率降至100℃，最后自然降至室温，即在硅片表面获得锗锡纳米点；其中，连续通入惰性气体的时长直至反应结束。
3.一种常压下锗锡纳米材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
选取长宽为10mm*10mm的硅片进行清洗：首先用丙酮溶液超声清洗20min，用以去除硅片表面有机物，然后用去离子水冲洗干净；
喷涂镍：在干燥的硅片表面喷有4nm厚的镍；
将表面喷有镍的硅片置于圆底瓷舟的一端，其将喷有镍的一面朝上；
将0.5g锗粉和0.025g锡粉置于圆底瓷舟的另一端，然后将圆底瓷舟置于管式炉内，并将装有锗粉和锡粉的一端置于管式炉的中央，同时，在此端以200sc·cm气体流量连续通入惰性气体后，将管式炉从室温以5℃/min速率升温至800℃后，保温100min，再以5℃/min速率降至100℃，最后自然降至室温，即在硅片表面获得锗锡纳米线；其中，连续通入惰性气体的时长直至反应结束。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
