[发明专利]一种用于铜/钼（铌）/IGZO膜层的刻蚀液及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202010652548.X | 申请日： | 2020-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN111809182A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 徐帅;张红伟;李闯;胡天齐;钱铁民 | 申请（专利权）人： | 江苏和达电子科技有限公司;四川和晟达电子科技有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/18 | 分类号： | C23F1/18;C23F1/26;C25F3/02;C25F3/08;C25F3/12;H01L21/44;H01L21/465 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 212212 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 igzo 刻蚀 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种用于铜/钼(铌)/IGZO膜层的刻蚀液，其特征在于，所述蚀刻液包括主剂和添加剂，所述主剂和添加剂中金属缓蚀剂均为氨基咔唑类金属缓蚀剂。
2.根据权利要求1所述的刻蚀液，其特征在于，所述主剂和添加剂中还包括含氟离子型化合物。
3.根据权利要求1或2所述的刻蚀液，其特征在于，所述主剂以其总质量为100％计，包括如下组分：
优选地，所述主剂以其总质量为100％计，包括如下组分：
4.根据权利要求1-3中任一项所述的刻蚀液，其特征在于，所述添加剂以其总质量为100％计，包括如下组分：
优选地，所述添加剂以其总质量为100％计，包括如下组分：
5.根据权利要求1-4中任一项所述的刻蚀液，其特征在于，所述过氧化氢选用电子级过氧化氢；
优选地，所述含氟离子型化合物选自氢氟酸、氟化铵、氟化氢铵或四甲基氟化铵中的任意一种或至少两种的组合；
优选地，所述含氟离子型化合物为氢氟酸，进一步优选地，所述主剂中包括0.01～3％质量百分含量的氢氟酸；
优选地，所述胺类化合物为多元胺类或醇胺类化合物；
进一步地，所述胺类化合物包括乙二胺、丙二胺、二甲基乙醇胺、二乙氨基丙胺、二乙基乙醇胺、三乙醇胺或异丙醇胺中的任意一种或至少两种的组合；
优选地，所述铵盐包括四甲基氢氧化铵、三甲基氢氧化铵、乙酸铵、氯化铵、硫酸铵或硝酸铵中的任意一种或至少两种的组合。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的刻蚀液，其特征在于，所述过氧化氢稳定剂选自脲类和/或磺酸类化合物；
优选地，所述脲类化合物包括苯基脲、硫脲或脲素中的任意一种或至少两种的组合；
优选地，所述磺酸类化合物包括对羟基苯磺酸和/或对氨基苯磺酸。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的刻蚀液，其特征在于，所述氨基咔唑类化合物为9-氨基咔唑和/或3,9-二氨基咔唑。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的刻蚀液的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
(1)将过氧化氢、硝酸、含氟离子型化合物、胺类化合物和/或铵盐、过氧化氢稳定剂、金属缓蚀剂于水中混合搅拌，得到刻蚀液主剂；
(2)将硝酸、含氟离子型化合物、胺类化合物或铵盐、金属缓蚀剂于水中混合搅拌，得到刻蚀液添加剂，即得到所述用于铜/钼(铌)/IGZO膜层的刻蚀液。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)和步骤(2)所述混合的温度维持在45℃以下。
10.一种铜/钼(铌)/IGZO膜层的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀方法利用如权利要求1-7中任一项所述的刻蚀液进行刻蚀。
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