[发明专利]一种基于GaN的DC-DC转换器的磁集成系统在审
| 申请号： | 202010652611.X | 申请日： | 2020-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN111899962A | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 王来利;于龙洋;冯舒婷;李超杰;杨成子;伍敏 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01F27/24 | 分类号： | H01F27/24;H01F27/30;H01F37/00;H02M1/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 房鑫 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 gan dc 转换器 集成 系统 | ||
1.一种基于GaN的DC-DC转换器的磁集成系统，其特征在于，包括第一平面磁柱(1)、第二平面磁柱(2)、第三平面磁柱(3)、第四平面磁柱(4)、第一平面电感线圈(L1)及第二平面电感线圈(L2)；
第一平面磁柱(1)、第二平面磁柱(2)、第三平面磁柱(3)及第四平面磁柱(4)依次位于正方形四个角的位置处，第一平面电感线圈(L1)及第二平面电感线圈(L2)均为己字形结构，且第一平面电感线圈(L1)的中部穿过第一平面磁柱(1)与第四平面磁柱(4)之间以及第二平面磁柱(2)与第三平面磁柱(3)之间，且第二平面磁柱(2)位于第一平面电感线圈(L1)一侧的开口位置处，第四平面磁柱(4)位于第二平面电感线圈(L2)另一侧的开口位置处，第二平面电感线圈(L2)的中部穿过第一平面磁柱(1)与第二平面磁柱(2)之间以及第三平面磁柱(3)与第四平面磁柱(4)之间，且第三平面磁柱(3)位于第二平面电感线圈(L2)一侧的开口位置处，第一平面磁柱(1)位于第二平面电感线圈(L2)另一侧的开口位置处。
2.根据权利要求1所述的基于GaN的DC-DC转换器的磁集成系统，其特征在于，还包括衬底，其中，第一平面磁柱(1)、第二平面磁柱(2)、第三平面磁柱(3)及第四平面磁柱(4)均位于衬底上。
3.根据权利要求2所述的基于GaN的DC-DC转换器的磁集成系统，其特征在于，第一平面电感线圈(L1)位于第二平面电感线圈(L2)与衬底之间。
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