[发明专利]一种新型光电双响应阻变存储器件及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种具有光电双响应功能的阻变存储器，其特征在于：其结构组成自下而上为：

(1)玻璃基板衬底；

(2)氧化铟锡电极(ITO)；

(3)BPQDs/PCBM/PVP薄膜活性层；

(4)铝电极。

2.根据权利要求1所述一种具有光电双响应功能的阻变存储器，其特征在于：所述BPQDs/PCBM/PVP薄膜活性层由黑磷粉末机械剥离剥离成黑磷量子点和C₆₀衍生物PCBM共混，加入PVP成膜而得到。

3.根据权利要求1所述一种具有光电双响应功能的阻变存储器，其特征在于：所述BPQDs/PCBM/PVP薄膜活性层具体由以下步骤制备而成：

1)取购买的黑磷粉末置于玛瑙研钵中，研磨后，密封于样品瓶中；将样品瓶置于超声机中超声，离心，得到下层固态黑磷量子点；

2)将PVP和制备的黑磷量子点以及PCBM分散于NMP中，超声获得均匀分散的溶液。

4.一种权利要求1-3任一项所述的具有光电双响应功能的阻变存储器的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

1)清洁ITO玻璃；

2)旋涂活性层BPQDs/PCBM/PVP薄膜，厚度范围为100nm-200nm；

3)蒸镀顶电极Al，厚度50nm-150nm。

5.一种权利要求1-3任一项所述的具有光电双响应功能的阻变存储器在阻变存储器件方面的应用。

6.根据权利要求5所述的具有光电双响应功能的阻变存储器在阻变存储器件方面的应用，其特征在于，暗场下开启关闭阈值电压为-2.4V和+3.25V；在波长为450nm的激光照射下，阈值电压减小，电阻随之也减小，且均随着光强的增大而不断减小。